发明专利已授权

一种全无机钙钛矿阻变存储器及其制备方法

📄 申请号：CN201810168523.5 📄 发布日：2026/05/08

著录项目信息

申请日

2018-02-28

公开号

CN108539012B

公开日

2020-06-19

申请人

湖北大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00

技术画像

所属领域

半导体存储器件半导体存储器件阻变存储器技术钙钛矿材料

应用场景

数据存储, 非易失性存储器, 人工智能计算, 物联网设备, 消费电子

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摘要

本发明公开了一种全无机钙钛矿阻变存储器及其制备方法。所述存储器结构从下至上依次为底电极、阻变层和顶电极。ITO作为底电极，CsPbBr3薄膜作为阻变层，用金属Pt、或Au、或W作为顶电极。制备步骤为将CsPbBr3粉末溶解在DMSO溶液中配制前驱液，用旋涂仪将前驱液旋涂在ITO底电极上，再滴加甲苯作反溶剂，使钙钛矿层快速结晶，并在100～150℃条件下退火10～30min，获得致密的CsPbBr3多晶薄膜。再在CsPbBr3薄膜表面沉积顶电极。该存储器的阻变层由全无机材料制得，制备工艺简单，成本低，通过改变加热温度和加热时间，器件表现出优异的阻变特性及空气热稳定性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种镍布集流体的制备方法及其应用

当前第 / 件

一种大面积金红石相 SnO2 薄膜的低温制备方法及其应用

同领域国内专利 · IPC: (H01L45_00)

H01L45_00 覆盖1个领域

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