发明专利已授权

一种二级结构CuS中空球、制备方法及其应用

📄 申请号：CN202110910606.9 📄 发布日：2026/08/12

著录项目信息

申请日

2021-08-09

公开号

CN113428890A

公开日

2021-09-24

申请人

赵素清

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01G3_12

IPC 分类号

C01G3_12 , H01M4_58 , H01M10_054 , B82Y30_00 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

光催化降解, 光热治疗, 电化学储能, 气体传感器, 电催化

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摘要

本发明提供一种二级结构的CuS中空球、制备方法及其应用，属于微纳米材料合成领域。本发明以成本较低的铜源于硫源作为反应原料，采用简单的油浴法通过调节工艺参数制备出CuS纳米材料。本发明原料价格低廉，制备工艺简单，制备成本较低，适合工业化生产，应用前景广阔。本发明的制备方法，通过改变反应参数还可以对CuS纳米材料的尺寸进行调控，制备出的CuS形貌特征鲜明，具有独特的二级结构中空球形状，作为钠离子电池负极材料，具有较好的电化学性能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20251017

?? 专利权的转移：

20251014

?? 专利权的转移：

20220809

✅ 授权

20211015

?? 实质审查的生效：

20210924

📄 公开

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：5 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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