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本发明提供一种多孔石墨烯作为通道与模板制备氯化亚铜晶体的方法。采用酸法刻蚀法制备可溶于常见溶剂中的多孔氧化石墨烯并均匀涂覆于光滑的铜箔表面,干燥后氧化石墨烯薄膜牢固贴附在铜箔表面,运用氢碘酸还原多孔氧化石墨烯得到多孔石墨烯覆盖的铜箔,采用易于挥发的液体作为溶剂配置一定浓度范围的氯化铜溶液,将氯化铜溶液涂覆于多孔石墨烯覆盖的铜箔表面,控制氯化铜溶液的添加量、温度、时间制备氯化亚铜片状纳米晶体材料。本发明所公开的方法,可通过石墨烯片层的阻挡与孔道的数量控制反应物之间的接触,从而控制反应进度得到更薄且尺寸可控的氯化亚铜片状晶体材料。
📄 2018104119982 📂 C01G3_05 👤 盐城师范学院 📅 2018-04-24
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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固态锂电池电解质专利包

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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
受让方:××生物医药有限公司
交易类型:转让
交易金额:¥1,200万
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SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
受让方:××汽车电子集团
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交易金额:¥680万
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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
受让方:××能源集团
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交易金额:¥50万/年