发明专利已授权

一种压力协助制备高质量钙钛矿薄膜的方法

Name: 一种压力协助制备高质量钙钛矿薄膜的方法
Brand: 电子科技大学
SKU: 201910821531X
Availability: InStock

📄 申请号：CN201910821531.X 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2019-09-02

公开号

CN110635050A

公开日

2019-12-31

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L51_48

IPC 分类号

H01L51_48 , H01L51_42 , H01L51_56 ,

技术画像

所属领域

钙钛矿薄膜钙钛矿薄膜薄膜制备工艺光伏材料

应用场景

太阳能电池, 钙钛矿太阳能电池, 光电器件, 光电探测器, 发光二极管

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摘要

一种压力协助制备高质量钙钛矿薄膜的方法，属于光电薄膜制备技术领域。首先，在基底上制备钙钛矿前驱体薄膜；然后，将两个带钙钛矿前驱体薄膜的基底相对放置，使钙钛矿前驱体薄膜紧贴在一起，并在顶部薄膜上方施加压力，底部薄膜上加热退火，缓慢生长钙钛矿晶体；退火结束后，取下顶部带钙钛矿薄膜的基底，即可得到所述高质量的底部钙钛矿薄膜。本发明方法制备得到的钙钛矿薄膜具有微米级的晶粒、微秒级的载流子寿命、高的结晶性、少的晶界和低的缺陷态密度，有效提升了钙钛矿薄膜的光电性能及长期稳定性，相应地提升器件性能。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN110635050A

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当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210806

✅ 授权

20200124

?? 实质审查的生效：

20191231

📄 公开

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：204 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 2657件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

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