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法律状态：全部已授权审中

项目申报：全部报过没有报过

发明已授权

本发明属于集成电路技术领域，具体的说是基于多比特SRAM单元的定点全精度存内计算电路。本发明通过在传统SRAM存储阵列电路基础上添加两个晶体管构成传输门实现乘法，并且增加加法器树进行部分和累加，采用位串行输入模式和移位累加器完成多比特运算，从而实现了在SRAM存储阵列内进行精度无损的矩阵向量乘法运算。本发明了实现了无精度损失的多比特SRAM存内计算，具有面积小，并行度高的特点，适用于需要进行大规模乘累加计算的卷积神经网络系统。

📄 2022105497640 📂 G11C11_54 👤 电子科技大学 📅 2022-05-20

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基于多比特SRAM单元的定点全精度存内计算电路

2022105497640 · 电子科技大学

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CRISPR基因编辑技术

转让方：××大学
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交易类型：转让
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SiC功率器件工艺专利

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交易类型：转让
交易金额：¥680万

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钙钛矿光伏组件技术

转让方：××科技公司
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交易类型：开放许可
交易金额：¥50万/年

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