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本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种存储运算电路，以及一种具有TCAM和逻辑运算功能的SRAM存内计算电路和芯片。每个基础的存储运算电路包括两个用于存储数据的存储单元T1和T2，以及两个运算逻辑单元ALU1和ALU2；其中，ALU1和ALU2均包括控制端、第一输入端，第二输入端和输出端；运算逻辑单元ALU1在控制端接入VSS时为与门，控制端接入VDD时为同或门；运算逻辑单元ALU2在控制端接入VSS时为异或门，控制端接入VDD时为或门。运算逻辑单元ALU1的输入端接外接输入IN和存储单元T1；运算逻辑单元ALU2的输入端接ALU1的输出和存储单元T2。本发明解决了常规SRAM存算电路难以在单周期实现复合布尔逻辑运算的问题，提升了存算电路的运算性能和稳定性。