发明专利已授权

一种具有

📄 申请号：CN201910929813.1 📄 发布日：2026/08/06

著录项目信息

申请日

2019-09-29

申请人

重庆理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B23K1_08

IPC 分类号

B23K1_08 , B23K1_20 , B23K3_08 , C25D3_56 , C25D5_20 , C23C30_00 , C21D9_50 ,

技术画像

所属领域

其他技术其他技术

应用场景

其他

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摘要

本发明公开了一种具有[100]择尤取向的全IMC微焊点的制备方法，其包括如下步骤：步骤一，电镀，提供两块金属基底，所述金属基底的焊接面上沉积有厚度为20±2μm的Co‑P纳米晶薄膜，该Co‑P纳米晶薄膜中P的原子百分比为0.1~10at.%。步骤二，钎焊，将两块金属基底的焊接面对准，以纯Sn作为钎料，利用浸焊或回流焊在两块金属基底的焊接面之间制得Co‑P/Sn/Co‑P微互连结构。步骤三，时效处理，对制得的Co‑P/Sn/Co‑P微互连结构进行时效处理，时效温度为150~230℃，时效时间为20~200h，得到具有[100]择尤取向的全IMC微焊点其工艺流程简单，成本低廉，制得的微焊点是以[100]择尤取向的CoSn3晶粒为主体的全IMC结构，具有比Cu6Sn5全IMC结构韧性更优的力学性能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20211008

✅ 授权

20200107

?? 实质审查的生效：

20191213

📄 公开

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：11 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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