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本发明涉及一种（TiNbCrWTa）Cx高熵陶瓷及其制备方法，属于高熵碳化物陶瓷技术领域，所述高熵陶瓷为单相面心立方结构的陶瓷；所述制备方法包括：S1：将一种金属和四种碳化物原料粉末混合均匀，得到混合粉末A；S2：将混合粉末A放入导热性能良好的石墨模具中进行固相反应烧结，得到高熵陶瓷（TiNbCrWTa）Cx。本发明选用Ti粉和Cr3C2粉相结合，既降低了烧结过程的烧结温度，又保证了高熵碳化物的碳源来源，还有利于各元素的扩散，使最终产物有着较高的致密度和均匀性，最终形成具有单相的固溶体，制备的高熵陶瓷具有优异的机械、物理和化学性能。

本发明专利涉及一种[RMIM]X离子液体辅助微波辐射法原位复合ZnV2O6/石墨烯的合成方法。本发明采用[RMIM]X(阳离子R为1‑烷基‑3‑甲基咪唑，阴离子X为氯离子、溴离子、硝酸根离子、硫酸根离子、四氟硼酸根离子或醋酸根离子中的一种或几种)离子液体辅助微波辐射法来制备钒酸锌纳米晶/石墨烯‑多壁碳纳米管材料，该制备过程具有节能高效、产物结构可控性强、重现性好、成本低廉等优点；所得到的钒酸锌纳米晶/石墨烯‑多壁碳纳米管材料具有优异的循环稳定性为提升锌离子电池的综合电化学性能提供了奠定良好的基础。

本发明公开了一种具有[100]择尤取向的全IMC微焊点的制备方法，其包括如下步骤：步骤一，电镀，提供两块金属基底，所述金属基底的焊接面上沉积有厚度为20±2μm的Co‑P纳米晶薄膜，该Co‑P纳米晶薄膜中P的原子百分比为0.1~10at.%。步骤二，钎焊，将两块金属基底的焊接面对准，以纯Sn作为钎料，利用浸焊或回流焊在两块金属基底的焊接面之间制得Co‑P/Sn/Co‑P微互连结构。步骤三，时效处理，对制得的Co‑P/Sn/Co‑P微互连结构进行时效处理，时效温度为150~230℃，时效时间为20~200h，得到具有[100]择尤取向的全IMC微焊点其工艺流程简单，成本低廉，制得的微焊点是以[100]择尤取向的CoSn3晶粒为主体的全IMC结构，具有比Cu6Sn5全IMC结构韧性更优的力学性能。