发明专利 已授权

一种半导体器件参数测试装置

📄 申请号:CN202110777604.7 📄 发布日:2025/11/16

著录项目信息

申请日
2021-07-09
公开号
CN113504447A
公开日
2021-10-15
申请人
武汉工程大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

半导体器件测试, 集成电路测试, 晶圆测试, 芯片可靠性检测, 电子元器件质量检测

摘要

本发明涉及一种半导体器件参数测试装置,包括微控制器、多路DA转换电路、功率放大电路、倍压电路、恒流电路、多路继电器线圈驱动电路、第一继电器KA1、第二继电器KA2、第三继电器KA3、第四继电器KA4、第五继电器KA5、限流电阻R1、第一取样电阻R2、第二取样电阻R3、第三取样电阻R4、第一取样电路、第二取样电路、第三取样电路、第四取样电路、多路AD转换电路、第一测试接口、第二测试接口以及第三测试接口;本发明将三极管以及二极管参数测量方案融合在一个系统之中;通过改变各个继电器线圈的通断控制相应继电开关的状态使得系统处于不同状态即可测量不同的参数,测量精度高,且在测量不同参数时共用电路结构,节约了硬件成本。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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