发明专利已授权

一种碳化硅纳米材料及其制备方法

📄 申请号：CN201910218578.7 📄 发布日：2025/11/16

著录项目信息

申请日

2019-03-21

公开号

CN109879285A

公开日

2019-06-14

申请人

武汉工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01B32_97

IPC 分类号

C01B32_97 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

硅纳米材料纳米材料碳化硅材料粉体材料制备硅纳米材料

应用场景

半导体器件, 功率电子器件, 高性能陶瓷, 复合材料增强, 磨料磨具

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摘要

本发明涉及一种碳化硅纳米材料及其制备方法，碳化硅纳米材料为纳米带状结构。碳化硅纳米材料的制备方法包括如下步骤：以一氧化硅为硅源，以碳纳米管为碳源制备得到一氧化硅和碳纳米管的混合分散液，硅源和碳源按照硅元素与碳元素的摩尔比(0.5-3)：1投料混合；对分散液进行干燥，得到前驱体；将前驱体在真空度为0.03-0.1MPa，温度为1000-1400℃的条件下煅烧，得到粗产物；对粗产物进行除硅处理得到碳化硅/碳纳米管复合物，将碳化硅/碳纳米管复合物在空气或氧气气氛下焙烧，得到碳化硅纳米带，根据本发明的方法以碳纳米管为碳源制备的碳化硅材料为碳化硅纳米带，且原料易得，工艺简单，设备要求低，成本低，有利于实现碳化硅纳米带的规模化生产。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种碳化硅陶瓷膜及其制备方法和用途

当前第 / 件

一种利用化学石膏制备α-半水石膏的方法及由其制备得到的α-半水石膏

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