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发明专利
已授权
一种半导体石墨晶圆及其制备方法
📄 申请号:CN202010651361.8
📄 发布日:2025/11/10
著录项目信息
申请日
2020-07-08
公开号
CN111978858A
公开日
2020-11-24
申请人
大同新成新材料股份有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
C09D183_04
IPC 分类号
C09D183_04
,
C09D127_18
,
C09D175_14
,
C09D133_04
,
C09D7_61
,
C09D7_62
,
H01L21_02
,
H01L29_06
,
技术画像
所属领域
半导体材料
半导体材料
石墨材料
晶圆制备工艺
应用场景
半导体芯片制造, 集成电路, 功率半导体器件, 电子器件散热, 晶圆级封装
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摘要
本发明属于石墨晶圆制备领域,尤其是一种半导体石墨晶圆及其制备方法,针对现有的半导体石墨晶圆的耐磨、抗划伤性能差的问题,现提出如下方案,其包括以下重量份的原料:氧化石墨烯10-20份、乙醇20-30份、硅晶圆、有机硅油1-5份、改性硅铝炭黑1-5份、聚硅氧烷5-10份、聚四氟乙烯5-10份、氮化硅1-5份、二硫化钼2-7份、聚硅氧烷3-8份、聚氨酯丙烯酸酯1-5份、氮化碳1-5份、丙烯酸树脂粉末3-9份,本发明可以提高耐磨性及抗划伤性,制备方法简单。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
一种用于半导体石墨清洗的清洗设备及其清洗方法
当前第 / 件
半导体石墨圆晶用倒角加工设备及其倒角方法
同领域国内专利 · IPC: (C09D183_04)
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