发明专利已授权

多离子源协同加工拼痕抑制方法、装置和电子设备

Name: 多离子源协同加工拼痕抑制方法、装置和电子设备
Brand: 摩高光学科技(佛山)有限公司
SKU: 202111118247X
Availability: InStock

📄 申请号：CN202111118247.X 📄 发布日：2026/01/07

著录项目信息

申请日

2021-09-24

公开号

CN113560963A

公开日

2021-10-29

申请人

摩高光学科技(佛山)有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B24B1_00

IPC 分类号

B24B1_00 , B24B13_00 , G06F17_15 ,

技术画像

所属领域

电子设备离子束加工表面处理精密加工离子源电子设备

应用场景

光学元件加工, 精密制造, 半导体制造, 表面抛光

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摘要

本发明涉及光学元件加工技术领域，具体提供了一种多离子源协同加工拼痕抑制方法、装置和电子设备，通过获取参考去除函数和参考束流分布函数；测定各离子源的离子束束流分布函数，得到多个实测束流分布函数；根据所述参考去除函数、所述参考束流分布函数和所述多个实测束流分布函数，计算各离子源的估计去除函数；根据各离子源的估计去除函数计算各离子源的留驻时间分布数据；根据各离子源的留驻时间分布数据控制各离子源进行协同加工；从而，可有效抑制拼痕的产生，且可减小工作量，提高工作效率。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN113560963A

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该专利的转让价格是多少？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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