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本发明公开了一种多孔长余辉发光材料，化学表达式为M2‑x‑yMgSi2O7:xEu2+,yDy3+，由MCO3、SiO2、MgO、Eu2O3和Dy2O3通过高温固相法制得，M为Sr、Ca或Ba中的一种，0.01≤x≤0.06，0.01≤y≤0.1；本发明还公开了上述多孔长余辉发光材料的制备方法：将MCO3、SiO2、MgO、Eu2O3和Dy2O3按材料化学表达式所需组分比配料称量，研磨预烧，加入造孔剂压片，烧结，冷却，得到多孔长余辉发光材料，表面的吸光量高，晶粒中缺陷密度适中，发光性能高；其制备方法提高了表面的吸光量和高晶粒中缺陷密度，可操作性强，合成工艺简单。

本发明公开了一种宽谱黄绿光发射氮氧化物荧光粉及制备方法，其化学通式为Ba1‑2xSi6N8‑yOy:xCe3+,xA+，其中A代表Li、Na、K、Rb、Cs中的一种；0.005≤x≤0.1；0＜y≤2。本发明提供的荧光粉发射波长处于450~650 nm范围，属于宽带发射，可以有效吸收200~480 nm波长范围内的光，其发射范围宽,发光强度高，热稳定性好，抗热猝性能好，并且采用的高温固相制备法工艺简单，易于操作控制，可广泛应用于白光LED。

一种铕掺杂的高发光强度红色硅酸盐荧光材料的制备方法，包括以下步骤：以BaCO3、ZnO、H2SiO3和Eu2O3作为原料粉体，按分子式Ba1‑xEuxZnSiO4中对应元素的化学计量比称取各原料，其中x为Eu3+掺杂Ba2+位的摩尔比，0.005≤x≤0.10；将上述各种原料粉体和助剂TiO2共混后放入研钵中充分研磨混合均匀得到混合粉体；将混合粉体装入坩埚后于700～900℃下预烧2～5h，冷却后再次充分研磨后对样品进行压片处理；将压片后的产物于1000～1150℃下烧结2～4h，随炉冷却至室温得到荧光材料。该方法简单，使用原料便宜，所制备得到的材料可具有显色指数高、发光强度高的优点。

本发明涉及一种可被紫外及近紫外激发而发射出绿光的发光材料及其制备方法和应用，所述发光材料的化学结构式为A2B3‑xEuxSi8O20，式中，A+为碱金属离子Li+、Na+、K+中的一种或两种，B为碱土金属Ca、Sr或Ba中的一种或两种，0.005≤x≤1。本发明提供的绿光发光材料在紫外或近紫外等激发光源激发时，能发射波长范围在450～580 nm（峰值为502nm）的绿色光，激发光谱范围较宽，在300～420 nm处有强吸收，与紫外和近紫外芯片完美吻合。本发明提供的上述发光材料的制备方法条件温和，反应温度低，方法简单可行，易于操作、易于量产、无污染、成本低。

本发明涉及一种白光LED用光谱可调碱金属硅酸盐发光材料及其制备方法，所述发光材料的化学结构式为：A2B4‑x‑y‑zSi4O13xCe3+yTb3+zMn2+，式中，A+为碱金属离子Li+、Na+或K+中的一种或两种，B为碱土金属Ca、Sr或Ba中的一种或两种，0.001≤x≤1，0.001≤y≤0.5，0.001≤z≤1。本发明提供的发光材料以碱金属硅酸盐为基质材料，具有原料价格低廉、烧结温度低、化学热稳定性好等优点，且只需调节掺杂少量稀土离子的量即可在该荧光粉中实现光谱变化。本发明提供的发光材料在紫外激发时，其发射可在蓝光到白光以及蓝光到绿光可调，可以作为一种基于紫外LED芯片的白光LED。

本发明属于无机荧光材料技术领域，公开一种可调控陷阱的超长余辉材料及其制备方法和应用；所述超长余辉材料，以X2MgY2O7为基质材料，通过掺杂引入掺杂激活离子源M获得，其化学表达式为XSr2MgY2+中的一种或两种2O7:xM；其中，X；Y为为BaSi2+4+和和Ge4+中的一种或两种；M为稀土金属离子和过渡金属离子中的一种或多种；x为掺杂激活离子源M占基质中Y的摩尔百分比，且0＜x≤10%。本发明通过调控带隙工程及陷阱工程获得的超长余辉材料，采用传统的高温固相法制备，其制备工艺简单、产量大、成本较低等优点。