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摘 要:本发明涉及一种PERC晶体硅太阳能电池片的减反射膜及其制备方法和用途。所述减反射膜包括依次设置在所述晶体硅基体正面上的氧化硅薄膜层、低折射率超薄氮化硅覆盖层和正面氮化硅钝化膜层,所述低折射率超薄氮化硅覆盖层的折射率为2.02‑2.06,厚度为0.5‑6nm,所述正面氮化硅钝化膜层的折射率不小于所述低折射率超薄氮化硅覆盖层的折射率。通过在PERC晶体硅太阳能电池片的减反射膜中,在晶体硅基体正面上的氧化硅薄膜层和正面多层氮化硅钝化膜层之间设置低折射率超薄氮化硅覆盖层,可以使得含有该减反射膜的PERC晶体硅太阳能电池片的转换效率得以提升。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202210894750.2 | 专利名称: | 一种PERC晶体硅太阳能电池片的减反射膜、制备方法和用途 |
申请日: | 2022-07-28 | 申请/专利权人 | 苏州工业职业技术学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市吴中区国际教育园致能大道1号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0216搜分类 太阳能搜索 |
公开/公告日: | 2022-09-30 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN115132854A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |