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摘 要:本发明涉及一种缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的方法及相关设备,应用于计算机与电子信息技术领域,其中,方法包括获取所述交叉阵列中各传感放大器的放大系数;根据所述放大系数调整对应的所述传感放大器的放大倍数,所述传感放大器用于根据所述放大系数对其对应阵列输出端的电流进行补偿。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010003659.8 | 专利名称: | 缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的方法及相关设备 |
申请日: | 2020-01-03 | 申请/专利权人 | 首都师范大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 北京市海淀区西三环北路105号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G11C13/00搜分类 电路元件 电阻网络 集成电路 芯片搜索 |
公开/公告日: | 2022-03-22 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111210859B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |