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| 专利/申请号： | CN202010003662.X | 专利名称： | 缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的方法及相关设备 |
| 申请日： | 2020-01-03 | 申请/专利权人 | 首都师范大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 北京市海淀区西三环北路105号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | G06F30/3308 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2020-05-12 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN111144058A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 117 | 所属领域： | 电路元件 电阻网络 集成电路 芯片专利转让搜索 |
摘 要：本发明涉及一种缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的方法及相关设备，应用于计算机与电子信息技术领域，其中，获取忆阻器交叉阵列的输入电压；计算所述忆阻器交叉阵列中的潜通路引起的电流误差值；根据所述潜通路引起的电流误差值对所述输入电压进行调整，以降低所述潜通路引起的电流误差值。如此，只需调整忆阻器交叉阵列中的输入电压，便可以降低所述潜通路引起的电流误差值，调整了潜通路引起的误差损失，不必在忆阻器交叉阵列中再次添加新的设备，从而，不必改变忆阻器交叉阵列的制造工艺。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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