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摘 要:本发明提供一种半导体器件的测试结构及测试方法,涉及半导体技术领域,包括第一接口包括至少两个相互并联的第一连接端,至少两个第一连接端分别用于与至少两个半导体器件的栅极一一对应电连接;第二接口包括至少两个相互并联的第二连接端,至少两个第二连接端分别用于与至少两个半导体器件的体电极一一对应电连接;使用本申请的半导体器件的测试结构可以在机台具有相同测试空间的情况下,增多了可同时测试的半导体器件的数量,有效的提高了测试的效率。采用栅极并联、体电极并联的方式,还可以在一次量测中,同时获取到多组数据,提高了量测数据获取的速度。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011152837.X | 专利名称: | 一种半导体器件的测试结构及测试方法 |
申请日: | 2020-10-23 | 申请/专利权人 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01R31/26搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 2023-04-14 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN112269115B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |