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摘 要:本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法,属于纳米传感器的制备技术领域。本发明的方法包括以下步骤:一、在氧化铝陶瓷管上制备二硫化钼籽晶层;二、将覆盖有二硫化钼籽晶层的氧化铝陶瓷管置于二硫化钼生长溶液,120℃以上恒温水热生长12‑36 h,即可;所述二硫化钼生长溶液由钼酸钠、硫脲、柠檬酸和去离子水组成,其中,钼酸钠、硫脲的摩尔比为1:4‑5。本发明首次公开了在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法;本发明的方法,无需先制备出二硫化钼粉末,而是直接在衬底上生长出呈花球状结构的二硫化钼;无需涂覆、步骤简单、耗时短。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710109849.6 | 专利名称: | 一种在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法 |
申请日: | 2017-02-28 | 申请/专利权人 | 济南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市市中区南辛庄西路336号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B29/46搜分类 陶瓷搜索 |
公开/公告日: | 2021-12-28 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN106929921B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |