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摘 要:本发明提供了一种C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器的制备方法,包括以下步骤:(1)采用阳极氧化法制备TiO2纳米管;(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片,得到SnSe2/H‑TiO2异质结;(3)制备含有g‑C3N4纳米片的胶体溶液,通过旋涂法将g‑C3N4纳米片复合到SnSe2/H‑TiO2异质结上,最后在氩气气氛中烧结制备出C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得的C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110344916.9 | 专利名称: | 一种C3N4/SnSe2/H-TiO2异质结光电探测器的制备方法 |
申请日: | 2021-03-31 | 申请/专利权人 | 桂林理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广西壮族自治区桂林市建干路12号桂林理工大学 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0336搜分类 光电探测搜索 |
公开/公告日: | 2023-12-05 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113097320B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |