发明专利已授权

一种一阶电光效应硅调制器及其制备工艺

Name: 一种一阶电光效应硅调制器及其制备工艺
Brand: 三明学院
SKU: 2021104950732
Availability: InStock

📄 申请号：CN202110495073.2 📄 发布日：2026/06/22

著录项目信息

申请日

2021-05-07

公开号

CN113281920A

公开日

2021-08-20

申请人

三明学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G02F1_025

IPC 分类号

G02F1_025 , G02B6_12 , G02B6_13 , G02B6_136 ,

技术画像

所属领域

电光效应光通信器件硅光子集成电光调制技术电光效应

应用场景

光通信, 数据中心光互连, 集成光学, 光信号处理

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摘要

一种一阶电光效应硅调制器及其制备工艺，涉及电光效应硅调制器领域。制备工艺包括在硅波导区蚀刻形成非晶硅生长窗口，非晶硅生长窗口由硅波导区的上表面蚀刻形成；非晶硅生长窗口的底部还开设有辅助窗口，辅助窗口由非晶硅生长窗口的底部蚀刻形成；在非晶硅生长窗口中沉积非晶硅，并在沉积的非晶硅表面覆盖二氧化硅层；以波长为488nm的光辐照非晶硅生长窗口使非晶硅生长窗口中的非晶硅的至少一部分转变为单晶硅。制备得到的一阶电光效应硅调制器通过在硅结构中引入不对称应力而打破了中心反演对称结构对硅基电光调制器的功能限制，大大提高了硅基调制器的调制效率，有效减小了器件的尺寸、提高了带宽、降低了插损。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240820

✅ 授权

20210907

?? 实质审查的生效：

20210820

📄 公开

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