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摘 要:一种一阶电光效应硅调制器及其制备工艺,涉及电光效应硅调制器领域。制备工艺包括在硅波导区蚀刻形成非晶硅生长窗口,非晶硅生长窗口由硅波导区的上表面蚀刻形成;非晶硅生长窗口的底部还开设有辅助窗口,辅助窗口由非晶硅生长窗口的底部蚀刻形成;在非晶硅生长窗口中沉积非晶硅,并在沉积的非晶硅表面覆盖二氧化硅层;以波长为488nm的光辐照非晶硅生长窗口使非晶硅生长窗口中的非晶硅的至少一部分转变为单晶硅。制备得到的一阶电光效应硅调制器通过在硅结构中引入不对称应力而打破了中心反演对称结构对硅基电光调制器的功能限制,大大提高了硅基调制器的调制效率,有效减小了器件的尺寸、提高了带宽、降低了插损。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110495073.2 | 专利名称: | 一种一阶电光效应硅调制器及其制备工艺 |
申请日: | 2021-05-07 | 申请/专利权人 | 三明学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 福建省三明市三元区荆东路25号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G02F1/025搜分类 报警器搜索 |
公开/公告日: | 2021-08-20 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113281920A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |