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摘 要:本发明涉及一种GaN半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管及其制备方法。本发明采用不同类型的GaN半导体材料作为钙钛矿发光二极管的电子传输层。另外二维GaN量子尺寸效应明显,呈现较好的导电特性。随二维GaN层数的增加,对光的反射特性越来越好。多孔结构的GaN可以与钙钛矿材料充分接触,保证最大程度的光生电荷分离和电荷注入的发生。因此,GaN材料作为发光二极管的电子传输层能够提高器件的量子效率,是合适的选择。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110788879.0 | 专利名称: | 一种GaN半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管及其制备方法 |
申请日: | 2021-07-13 | 申请/专利权人 | 齐鲁工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市长清区大学路3501号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L51/56搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 2021-10-22 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113540386A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |