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| 专利/申请号： | CN202110788879.0 | 专利名称： | 一种GaN半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管及其制备方法 |
| 申请日： | 2021-07-13 | 申请/专利权人 | 齐鲁工业大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 山东省济南市长清区大学路3501号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L51/56 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2021-10-22 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN113540386A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 42 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
摘 要：本发明涉及一种GaN半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管及其制备方法。本发明采用不同类型的GaN半导体材料作为钙钛矿发光二极管的电子传输层。另外二维GaN量子尺寸效应明显，呈现较好的导电特性。随二维GaN层数的增加，对光的反射特性越来越好。多孔结构的GaN可以与钙钛矿材料充分接触，保证最大程度的光生电荷分离和电荷注入的发生。因此，GaN材料作为发光二极管的电子传输层能够提高器件的量子效率，是合适的选择。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2024/10/15 | 专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更 | 专利权人由齐鲁工业大学变更为齐鲁工业大学（山东省科学院） 国家或地区由中国变更为中国 地址由250353 山东省济南市长清区大学路3501号变更为250353 山东省济南市长清区大学路3501号 |
| 2022/04/05 | 授权 | |
| 2021/11/09 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 51/56 专利申请号: 202110788879.0 申请日: 2021.07.13 |
| 2021/10/22 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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