发明专利已授权

一种CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料及其制备方法和应用

📄 申请号：CN201910146588.4 📄 发布日：2026/06/30

著录项目信息

申请日

2019-02-27

公开号

CN110010764B

公开日

2022-09-27

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L51_00

IPC 分类号

H01L51_00 , B82Y10_00 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

相变存储材料相变存储材料纳米复合薄膜薄膜制备工艺

应用场景

相变存储器, 数据存储, 半导体存储器件

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摘要

本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料及其制备方法和应用。CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料，包括CH薄膜材料和Sb薄膜材料，且CH薄膜材料和Sb薄膜材料交替排列，其中CH薄膜材料为聚乙炔；采用磁控溅射法，以CH靶和Sb靶为溅射靶材，交替沉积CH薄膜材料和Sb薄膜材料得到。本发明所得CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料具有较低的热导率和较高的加热效率，从而降低器件的功耗；而且具有较佳的柔性性能，可以作为柔性存储器的潜在材料，可以应用在高稳定相变存储器中。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220927

✅ 授权

20190806

?? 实质审查的生效：

20190712

📄 公开

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