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摘 要:本发明涉及一种硒化镉薄膜气相外延制备系统,属于半导体制造技术领域。该制备系统包括位移系统、控温系统、外延系统、操作箱、固定台、靶材存储箱,固定台固定设置在靶材存储箱顶端,操作箱设置在固定台上,位移系统设置在支撑架上,控温系统固定设置在位移系统顶端,外延系统水平设置且一端与操作箱连通,外延系统的另一端向控温系统延伸且可插入控温系统内。本发明在外延管中配备了源蒸发后流通的限向聚流罩以及源和生长衬底的支撑装置,分别利用限向聚流罩和支撑装置提高源的利用率和薄膜材料的高效率沉积。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201711306122.3 | 专利名称: | 一种硒化镉薄膜气相外延制备系统 |
申请日: | 2017-12-11 | 申请/专利权人 | 昆明理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 云南省昆明市五华区学府路253号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B23/06搜分类 塑料 气搜索 |
公开/公告日: | 2020-05-15 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108203843B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |