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摘 要:本发明涉及一种基于二维碲烯纳米线的场效应忆阻器及其制作方法,属于微电子技术领域。本发明所述忆阻器包括衬底,所述衬底上设有忆阻层,所述忆阻层为二维碲烯纳米线;所述二维碲烯纳米线的中部被一绝缘层覆盖,其两端部保持裸露;所述二维碲烯纳米线裸露的两端部和所述绝缘层的表面分别设有金属电极。本发明所述的场效应忆阻器的电阻由场电压进行调控,电阻变化3个数量级。场电压的短暂作用会对器件的电阻产生非易失性的影响,导致电阻变化达到1个数量级。忆阻器不仅可以利用其场效应实现逻辑运算,还可利用其电阻记忆的功能。本发明所述的忆阻器结构简单、制备简单、响应速度快、性能优越,是一种存算一体器件,有广阔的应用前景。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202111023547.X | 专利名称: | 一种基于二维碲烯纳米线的场效应忆阻器及其制作方法 |
申请日: | 2021-08-31 | 申请/专利权人 | 苏州科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市高新区学府路99号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L45/00搜分类 纳米线搜索 |
公开/公告日: | 2022-07-19 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113921706B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |