摘要
本实用新型适用于石墨坩埚技术领域,提供了一种半导体芯片生产用的石墨坩埚,包括:第一石墨坩埚本体和第二石墨坩埚本体,所述第一石墨坩埚本体位于第二石墨坩埚本体的上方,且第一石墨坩埚本体和第二石墨坩埚本体一体压铸成型;开设于所述第一石墨坩埚本体顶部的倒液槽;设于所述第二石墨坩埚本体内部底部中央位置处的石墨棒;通过石墨棒、凹槽和蜂窝孔的设置,可以将第二石墨坩埚本体底部的火焰进行聚集并将热量传导至第一石墨坩埚本体和第二石墨坩埚本体的内部中央位置处,使得第一石墨坩埚本体和第二石墨坩埚本体内的原料在中间和外围同步受热,进而保证原料热熔的均匀,提高热熔的效率。