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一种像素型硅漂移探测器及其制作方法

Name: 一种像素型硅漂移探测器及其制作方法
Brand: 湖南正芯微电子探测器有限公司
SKU: 202210456171X
Availability: InStock

📄 申请号：CN202210456171.X 📄 发布日：2026/09/11

著录项目信息

申请日

2022-04-27

公开号

CN114759055B

公开日

2026-06-16

申请人

湖南正芯微电子探测器有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10F39_12

IPC 分类号

H10F39_12 , G01T1_24 ,

技术画像

所属领域

半导体探测器半导体探测器硅漂移探测器半导体制造工艺

应用场景

X射线探测, 粒子物理探测, 医学成像, 空间辐射探测, 光谱分析

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摘要

本发明提供了一种像素型硅漂移探测器，由像素单元阵列而成；所述像素单元包括中间收集电极、第一阴极环、第二阴极环、基体和反面入射窗口；所述中间收集电极为阳极，掺杂于基体顶部中心位置；第一阴极环和第二阴极环为阴极，掺杂于基体顶部，第一阴极环和第二阴极环沿相反方向环绕中间收集电极分布；反面入射窗口的电极为阴极，掺杂于基体底部；所述阳极和阴极上面均镀有铝膜；每个像素单元之间的第一阴极环之间相连，第二阴极环之间相连。本发明提供的探测器阳极电容小，功耗小，可以测量0.5到15keV之间的x射线，具有几微秒的时间分辨率和快速读出的特点，无死区，对低能量光子具有良好的探测器量子效率。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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