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本发明涉及一种柔性TiO2阻变存储器阵列的制备方法，该方法如下：将双(乙酰丙酮基)乙氧基异丙氧基钛酸酯、乙酰丙酮按照1：1的摩尔比例溶解在乙二醇甲醚混合，获得钛离子浓度为0.5mol/L的前驱溶液。将该溶液通过提拉法涂敷在柔性的PET/ITO基底上，经过365nm紫外辐照，乙醇溶洗获得TiO2凝胶膜微阵列后，进一步在150℃采用254nm和185nm的紫外辐照3‑5小时，进一步通过Pt电极制备，既可获得具有良好保持特性和循环特性的柔性PET/ITO/TiO2存储器阵列。

本发明涉及二维材料与器件技术领域，具体涉及一种Ag/[SnS2/PMMA]/Cu低功耗阻变存储器及其制备方法。其公开了一种水热法合成SnS2六方结构纳米片，并将其与PMMA高分子材料复合制备SnS2/PMMA薄膜，将复合薄膜作为阻变功能层材料制备106A，g耐/受[S性nS达2/到PM了M10A4，]上/C述u阻两变项参存数储在器二的维方材法料。其阻开变关存比储约器为中已达到较优水平的基础上，Set/Reset电压只有‑0.1V/0.14V，远低于现有技术制备出的RRAM,有利于其未来在可穿戴设备方面的应用，当器件从高阻转变为低阻时对应的Set电流为2.6×10‑9A，Set功率仅为3.6×10‑10W,因此器件的功耗极低。

本发明公开了一种基于RRAM的处理器架构及控制方法，至少包括中央处理器(CPU)、随机存储器(RAM)、阻变存储器(RRAM)阵列模块以及纠错电路(ECC)，其中，CPU通过标准总线与RAM和纠错电路相连接，RAM作为数据缓存使用；RRAM阵列模块用于存储数据和处理器的程序(PROGRAM)，其通过所述纠错电路接入标准总线以根据CPU指令完成数据读写；所述纠错电路用于根据冗余信息修正RRAM阵列模块存储的数据。采用本发明的技术方案，使得高生产良率、高可靠性的目的得以实现，基于RRAM的嵌入式处理器架构，为28nm及以下高端芯片设计和加工制造开辟了新路。

本发明公开了一种基于钙钛矿材料的阻变存储器及其制备方法，涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的阻变存储器从上至下依次包括顶电极、卤化物钙钛矿层、二氧化钛薄膜层、底电极和玻璃基底，其中：所述卤化物钙钛矿材料中掺杂有Zr元素，所述的卤化物钙钛矿层材料的分子通式为ABX3，其中：A＝CH3NH3或Cs；B＝Pb；X＝Cl，Br或I。本发明仅通过在底电极与钙钛矿薄膜层之间添加一层二氧化钛薄膜，同时在钙钛矿薄膜中掺入Zr元素，使本发明制得的阻变存储器的开关比和稳定性明显提高，器件功耗显著减低。另外，本发明原料来源广泛，成本低，制备工艺简单，有利于产业化应用，具有良好的市场应用前景。

本发明公开了一种基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器及其制备方法，涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的阻变存储器，从上至下依次包括顶电极、介质层、底电极和玻璃基底，其中：所述介质层为Zr元素掺杂的卤化物钙钛矿材料。本发明的阻变存储器，结构简单，保持了传统阻变存储器的构造，不需要增加额外的结构层，仅通过在钙钛矿薄膜中掺入Zr元素，使本发明制得的阻变存储器的开关比和稳定性明显提高，极大地降低了器件功耗，同时还增加了器件的稳定性和均一性。另外，本发明的阻变存储器制备成本低，工艺简单，易操作，有利于产业化应用，具有良好的市场应用前景。

本申请提供一种1T1R阻变式存储器及其制作方法和设备，1T1R阻变式存储器包括包括：多个1T1R阻变式存储单元构成的存储单元阵列，每个1T1R阻变式存储单元包括一晶体管和一阻变器件(30)；晶体管包括沟道层(201)、与沟道层(201)绝缘的栅极层(204)以及设置在沟道层(201)上的漏极层(203)和源极层(202)，且漏极层(203)和源极层(202)在沟道层(201)上纵向分布；阻变器件(30)靠近漏极层(203)设置，本申请减少了晶体管的面积，从而使得阻变式存储器的存储密度显著提升，从而解决了现有1T1R阻变式存储器由于晶体管面积无法减小而造成存储密度受到限制的问题。