发明专利 已授权

一种铁电纳米点阵列中导电性调控的表征方法

📄 申请号:CN201910743213.6 📄 发布日:2026/09/03

著录项目信息

申请日
2019-08-13
公开号
CN110514872B
公开日
2024-06-25
申请人
淮阴工学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

所属领域

应用场景

半导体存储, 纳米电子器件, 材料分析测试, 集成电路, 传感器

摘要

本发明公开了一种铁电纳米点阵列中导电性调控的表征方法,属于纳米铁电材料制备和微纳表征技术领域,通过离子束刻蚀铁电薄膜获得高密度纳米点阵列;借助于矢量压电力显微术表征获得铁电拓扑畴的畴结构;使用导电原子力显微镜观测到纳米点中的导电通道,二维电流图像表明单个纳米点中的导电区域为几十纳米,这些导电通道具有类似于金属导电的特性;联合压电力显微镜和导电原子力显微镜获得极化对导电性的调控;可用于开发非易失性的、高密度的铁电随机存取存储器;纳米点的中心型畴结构为研究铁电拓扑畴及拓扑材料提供方案;同时,纳米点的导电性可以通过极化翻转进行调控,提供的表征方法可以将这种调控可视化,提升数据的直观性、可靠性。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图2
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