发明专利已授权

一种超高透明导电性ITO薄膜及其制备方法

📄 申请号：CN202111009759.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-08-31

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C03C17_23

IPC 分类号

C03C17_23

技术画像

所属领域

透明导电薄膜透明导电薄膜薄膜制备工艺光电材料

应用场景

显示器件, 触摸屏, 太阳能电池, 透明电极, 发光二极管

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摘要

本发明公开的一种超高透明导电性ITO薄膜的制备方法，具体步骤如下：步骤1，以苯甲酰丙酮、乙二醇甲醚、硝酸铟、四氯化锡及乙酸酐为原料配制锡掺杂氧化铟溶胶；步骤2，将钠钙玻璃片作为镀膜基板采用浸渍提拉法制备ITO镀膜玻璃；步骤3，将步骤2得到的ITO镀膜玻璃放置于管式炉中于500～550℃氢气气氛中进行终处理，气压0.1MPa，流量4～10mL/min，保温时间10～15min，得到ITO纳米晶薄膜。该方法能够大面积制膜，适合于产业化量产。本发明公开的一种有上述方法制备的超高透明导电性ITO薄膜。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

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