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液相法生长碳化硅晶体的生长炉的设计方法和生长炉

Name: 液相法生长碳化硅晶体的生长炉的设计方法和生长炉
Brand: 西安交通大学
SKU: 2025110725528
Availability: InStock

📄 申请号：CN202511072552.8 📄 发布日：2026/07/24

著录项目信息

申请日

2025-08-01

公开号

CN120581121B

公开日

2025-09-30

申请人

西安交通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G16C60_00

IPC 分类号

G16C60_00 , G06F30_28 , C30B9_04 , C30B29_36 , G06F111_10 , G06F113_08 , G06F119_08 , G06F119_14 ,

技术画像

所属领域

碳化硅晶体生长碳化硅晶体生长液相法晶体生长晶体生长炉设计

应用场景

碳化硅晶锭生产, 半导体衬底制造, 功率半导体器件, 新能源汽车, 5G通信设备

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摘要

本发明提供了一种液相法生长碳化硅晶体的生长炉的设计方法和生长炉，涉及晶体生长技术领域，本发明实施例通过获取生长炉的坩埚中熔体的温度分布和熔体的流动方向；在温度分布指示在从熔体的底部到熔体的顶部所在方向上熔体的温度逐渐升高，和/或流动方向指示熔体从碳化硅晶体的边缘向碳化硅晶体的中心流动的情况下，禁用生长炉的侧加热器；在侧加热器和底加热器之间的空隙处设置隔热部件，隔热部件用于阻挡坩埚通过空隙散热。本发明实施例不仅可以提高碳化硅晶体的生长速率，还有利于提高碳化硅晶体生长过程的稳定性，减少晶体内部缺陷的产生，进而提高碳化硅晶体的晶体质量。

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……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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