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本发明公开了一种铋酸钡纳米棒电子封装材料，属于电子封装材料技术领域。本发明铋酸钡纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：铋酸钡纳米棒65-80％、聚苯乙烯10-15％、辛基酚聚氧乙烯醚0.05-0.5％、三甲氧基硅烷5-10％、聚乙烯蜡4-10％。本发明提供的电子封装材料使用铋酸钡纳米棒、聚苯乙烯、辛基酚聚氧乙烯醚、三甲氧基硅烷和聚乙烯蜡作为原料，具有热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。

本发明公开了一种可实现CSP器件高强度互连的Sn基钎料，其成分包括Al纳米线、Cu亚微米颗粒、Bi和Sn。本发明添加Al纳米线，可形成类似网状的结构分布在焊点内部组织中，可将富Bi和富Sn晶粒紧紧缠绕在一起，Cu亚微米颗粒会与基体Sn反应形成Cu6Sn5金属间化合物颗粒，部分颗粒会聚集在富Bi和富Sn晶粒晶界处，具有钉扎Al纳米线的作用，进而可实现Al纳米线和Cu6Sn5金属间化合物颗粒耦合强化焊点；另外在焊点界面区域，部分Al纳米线和Cu6Sn5金属间化合物颗粒会富集在界面层区域、阻止界面金属间化合物的快速生长，因此焊点在服役期间仍然保持较高的强度和使用寿命，可满足CSP器件的高可靠性需求。

本申请涉及建筑材料领域，更具体的涉及了一种具有高焊接强度的纳米银锡膏及其制备方法。高焊接强度的纳米银锡膏的原料包括纳米银粉，纳米锡粉，复合树脂，分散剂，活化剂，成膜剂，触变剂，硅钛粒子和稳定剂等。本申请提供了一种具有高焊接强度的纳米银锡膏及其制备方法，其不仅实现了内部体系的均匀分散，进而优化焊接效果和焊接性能，还能够大幅提高抗氧化性，大幅降低了纳米银的高表面能导致易氧化生成氧化银的概率，更进一步平衡了制备工艺与银锡膏高强度的平衡性问题，具有优异的稳定性和力学强度，从而有限满足现有技术领域对于高可靠性封装的需求，具有广泛的应用潜力。

本发明公开了一种铋酸锂纳米棒复合电子封装材料，属于封装材料技术领域。本发明铋酸锂纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：铋酸锂纳米棒65‑80％、聚丙乙烯10‑15％、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠0.05‑0.5％、三羟甲基丙烷5‑10％、硅树脂甲基支链硅油4‑10％。本发明提供的复合电子封装材料使用铋酸锂纳米棒作为主要原料，具有热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。

本发明公开了一种锡酸锶纳米棒复合电子封装材料，属于封装材料技术领域。本发明锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：锡酸锶纳米棒65‑80％、聚乙二醇10‑15％、乙撑双硬脂酰胺0.05‑0.5％、三聚丙二醇二缩水甘油醚5‑10％、乳化甲基硅油4‑10％，锡酸锶纳米棒的直径为80nm、长度为1‑2μm。本发明提供的锡酸锶纳米棒复合电子封装材料具有热膨胀系数小、导热系数高、绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工及制备温度低等特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。

本发明公开了一种钼酸铜纳米棒复合电子封装材料，属于结构材料技术领域。本发明钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：钼酸铜纳米棒65‑80％、聚丙乙烯5‑7％、聚苯乙烯5‑7％、烷基聚氧乙烯醚0.05‑0.5％、乙酰丙酮钛3‑8％、聚乙烯蜡3‑7％、水3‑6％，钼酸铜纳米棒的直径为25‑100nm、长度为0.5‑3μm。本发明提供的钼酸铜纳米棒复合电子封装材料具有热膨胀系数低、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好及制备温度低等特点，在电子封装领域具有良好的应用前景。

本发明提供了一种铜‑陶瓷基板的制备方法，包括以下步骤：将纳米铜粉、纳米二氧化硅与有机溶剂混合，得到纳米铜膏；将所述纳米铜膏涂覆于陶瓷基板表面，再进行烧结，最后依次进行光刻、显影、电镀和蚀刻，得到铜‑陶瓷基板。本申请制备铜‑陶瓷基板的过程中，由于纳米铜粉、纳米二氧化硅的纳米尺寸效应与其中的纳米SiO2可与陶瓷基板中的三氧化二铝、氮化铝反应，从而可在较低的烧结温度下实现铜‑陶瓷间的高强度键合。