发明专利已授权

具有高散热性能的可控硅模块及其工作方法

📄 申请号：CN202411886185.0 📄 发布日：2026/06/09

著录项目信息

申请日

2024-12-20

公开号

CN119730165B

公开日

2025-09-09

申请人

常州东华电力电子有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H05K7_20

IPC 分类号

H05K7_20 , H01L23_473 , B08B3_02 , H02M1_00 , H02M1_32 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件半导体封装结构散热结构

应用场景

电力电子变流器, 电机驱动与控制, 工业电源设备, 新能源发电与储能系统, 无功补偿与电能质量治理

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摘要

本发明属于印刷电路技术领域，具体涉及一种具有高散热性能的可控硅模块及其工作方法，本具有高散热性能的可控硅模块包括：可控硅阵列单元，其包括：若干可控硅器件组；其中各所述可控硅器件组包括：九个呈矩阵排布的可控硅器件，且形成轴心圈、内圈和外圈；若干水冷头单元，分别与相应可控硅器件组贴合，且包括：上腔室、下腔室、喷流嘴和触发块组；本具有高散热性能的可控硅模块及其工作方法通过触发块组改变喷流嘴的喷射速度，使得喷流嘴可以对下腔室中内圈和外圈对应的区域进行清理气泡和絮状物，从而改善散热效果；同时为了使外圈能够和内圈清理的效果接近，通过触发块组配合降低了喷流嘴朝向外圈的可控硅器件时降低转动，增加清理时长。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

NACA翼型叶片逆向建模方法、装置、计算机设备和存储介质

当前第 / 件

一种GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：59 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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