本发明公开了一种基于LTCC天线的等离子体密度传感器，其结构总共分为三层，包括上下两层LTCC介质层，以及在LTCC介质板表面镶嵌金属铜贴片、接地板、金属通孔的中间层。中间层可以分为三部分，其中在介质LTCC的上表面有馈电结构、金属贴片，下表面有接地板、金属贴片，上下表面通过金属通孔连通。将天线放置在一个球形的等离子体内部，当等离子体的密度发生变化时，该天线的谐振频率发生规律的变化，通过该天线装置进行测量等离子体的密度。通过选择适当大小的介质板、金属贴片和馈电结构，以及它们的位置，可以在一定范围内让天线的谐振频率随等离子体密度发生有规律的变化，从而完成对等离子体密度的测量。
📄 2019104379240
📂 H05H1_00
👤 南京邮电大学
📅 2019-05-24
本发明公开了一种加载方形脊和屏蔽层的LTCC带通滤波器。该滤波器包括由上至下设置的屏蔽层、金属柱和介质层，其中金属柱用于支撑介质层上方的屏蔽层，金属柱上端与屏蔽层相连，下端与介质层相连；所述介质层上、下表面分别设置第一金属贴片、第二金属贴片，第一金属贴片的一侧通过第一微带线与输入端连接、另一侧通过第二微带线与输出端连接；第一金属贴片和第二金属贴片的四侧边线均设有金属通孔，第一、第二金属贴片和金属通孔在第一介质层形成3个谐振腔，第一微带线、第二微带线与相邻谐振腔之间分别嵌入一个方形脊，方形脊位于电场最大处。本发明滤波器具有体积小、重量轻的优点，并且提高了带外抑制性能，减小了通带内回波损耗。
📄 2019102858560
📂 H01P1_208
👤 曲阜师范大学
📅 2019-04-10
本发明公开中心频率可调绝对带宽固定的LTCC滤波器及仿真方法。本发明包括五个外部端口和内部滤波结构，五个外部端口分别为两个对称分布的输入、输出端口，一个频率调谐端口以及两个接地端口。内部滤波结构从下至上依次包括九层金属层。本发明采用两层输入耦合结构，在顶层接入屏蔽层的情况下，相比单层结构有更高输入耦合强度。
📄 2020100727632
📂 H03H7_12
👤 杭州电子科技大学
📅 2020-01-21
本发明属于电子陶瓷材料及其制造技术领域，公开了一种低介低损耗复合LTCC材料、制备方法及应用，LTCC材料，基于SrCuSi4O10与(Li0.5Y0.5)MoO4进行固相反应法复合获得，可同时解决低温烧结和调节谐振频率温度系数的问题，同时复合材料介电常数和介电损耗也很低，满足低介低损耗的要求。该复合材料可以在不添加任何助熔剂的情况下，实现材料体系900℃左右的低温烧结，同时材料的谐振频率温度系数也能调整到±10ppm/℃以内，材料的介电常数也在7.7～8.0之间，Qf值超过了46000GHz，在LTCC集成器件和基板中具有很好的应用前景。
📄 2023106874111
📂 C04B35_16
👤 电子科技大学长三角研究院(湖州)
📅 2023-06-12
本发明属于电子功能陶瓷材料及其制造技术领域，公开了一种高介复合LTCC材料的制备方法及系统。本发明提供的高介低损耗LTCC材料，采用适量的LiNb0.6Ti0.34(Cu1/3Nb2/3)0.16O3和LiBa3Nb3Ti5O21进行复合，并借助少量的同样含Li离子的LiF来进行掺杂助熔。由于LiNb0.6Ti0.34(Cu1/3Nb2/3)0.16O3和LiBa3Nb3Ti5O21材料都具有高介和低损耗的特性，前者具有负的谐振频率温度系数，后者具有正的谐振频率温度系数，将两种预烧料按适当比例复合，如果复合过程中不产生其他另相，完全可以将谐振频率温度系数进行调零，并且仍然能维持高的介电常数和Qf值。同时采用少量也包含Li离子的LiF来进行助熔，研究发现这种助熔剂对于本发明中的这种复合材料体系有很好的包容性，可以有效将材料体系的烧结温度降低至900℃而对其电性能几乎无明显影响。
📄 2024112162852
📂 C04B35_495
👤 电子科技大学长三角研究院(湖州)
📅 2024-09-02
本发明涉及一种基于LTCC工艺的具有低频传输零点的双工器，属于双工器技术领域。本发明包括LTCC基体层，LTCC基体层形成有双工器电路结构，双工器电路结构由低通滤波电路和带通滤波电路组成，低通滤波电路包括串联在共用输入端口和低频输出口端口之间的第一电感和第一并联谐振器，第一电感和第一并联谐振器之间连接有接地的第一电容，带通滤波电路包括串联在共用输入端口和高频输出端口之间的第一串联谐振器和第二串联谐振器，第一串联谐振器和第二串联谐振器之间连接有第三串联谐振器，第三串联谐振器连接有接地的第二并联谐振器，本发明通过在低通滤波电路引入并联谐振器，在带外引入一个带外零点，增加低通支路的的带外抑制。
📄 2021114953633
📂 H03H1_00
👤 电子科技大学长三角研究院(湖州)
📅 2021-12-09
本发明公开了一种基于LTCC技术的小型化超宽带高通滤波器加陷波一体化芯片；芯片包括基体、外电极、滤波电路模块和陷波器模块，内部由21层电路层堆叠构成，主要包括超宽带高通滤波器的电容极板金属层及电感绕线金属层、陷波器带状线金属层、底层接地板、顶层接地板等。本发明结合LTCC工艺的三维立体结构搭建，实现芯片体积小、集成度高，适应新的电子元件集成化、小型化的发展趋势；通过谐振器调节传输零点、阻抗匹配调整带内阻抗匹配及带外抑制，实现具有超宽频带且带外信号抑制强的高通滤波器；并满足对特定频率附近杂波干扰具有强抑制性，且具有低损耗、多传输零点、陷波曲线陡、高可靠性等优点。
📄 2024116393150
📂 H03H1_00
👤 杭州电子科技大学
📅 2024-11-18
本发明公开了一种小型化低损耗LTCC毫米波带通滤波器，包括陶瓷体和外电极，所述外电极嵌在陶瓷体外侧，所述陶瓷体包括LTCC陶瓷介质基体和嵌在LTCC陶瓷介质基体内的内电极，所述内电极包括顶层金属片、源端、负载端、第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器、底层金属片和接地立柱，所述源端和负载端呈对称结构设置且位于顶层金属片下方，两根所述接地立柱的两端分别连接顶层金属片和底层金属片，所述第一谐振器和第三谐振器呈对称结构设置且分别位于源端和负载端下方，所述第一谐振器和第三谐振器的一端分别连接两根接地立柱，所述第二谐振器位于底层金属片的上方，该滤波器在毫米波段具有宽阻带抑制效果，有效提高了信号的传输效率。
📄 2024113312077
📂 H01P1_20
👤 杭州电子科技大学
📅 2024-09-24
本发明公开了一种宽频带的LTCC叉指电容，所述LTCC叉指电容包括依次层叠设计的第一电容层、第二电容层、第三电容层和第四电容层，且所述第二电容层和第三电容层上设置有相同数量的叉指，所述第一电容层、第二电容层、第三电容层和第四电容层之间通过垂直过孔以级联的方式连接，所述第一电容层和第二电容层通过所述垂直过孔形成的第一连接机构和第二连接机构连接，所述第二电容层和第三电容层通过所述垂直过孔形成的第三连接机构和第四连接机构连接，所述第三电容层和第四电容层通过垂直过孔形成的第五连接机构和第六连接机构连接；本发明提出的叉指电容制备成本低，成品率高，具有可靠性高，耐高温，可适用于恶劣环境等优点；同时实现了电容的小型化。
📄 2018102691873
📂 H01G4_005
👤 南京邮电大学
📅 2018-03-29
本发明属于电子信息陶瓷及其制造领域，具体涉及一种低介低损Ba‑Si‑B‑M基LTCC材料及其制备方法。本发明充分利用了复杂化学键理论由于Si4+离子极化率低和Si‑O键的共价键性高，所以Si‑O键的晶格能高这一特性，通过调整Ba‑Si基陶瓷原料配方，采用固相法，在850℃～950℃的低温下烧结成型致密的Ba‑Si‑B‑M基微波陶瓷材料。在烧结过程中形成低共熔化合物，从而推动晶粒重排，并且随着烧结的进行析出BaSi2O5相的陶瓷；并且没有二次相，确保了陶瓷材料的介电性能和机械性能优异，具有高Q×f值，6～7.5的低介电常数，介电损耗低至6.13×10‑4，可在LTCC中推广应用。
📄 2022100262615
📂 C04B35_16
👤 电子科技大学
📅 2022-01-11
本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种低介电常数、低介电损耗Ca‑Al‑B基微波介质LTCC材料及其制备方法。本发明将CaO‑Al2O3‑B2O3三元体系的典型代表CaAl2B2O7作为Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料通过添加助剂使其可应用于LTCC领域，实现了850℃～900℃的低温致密烧结，介电常数5～6.2，损耗低至4.19×10‑4，频率温度系数‑30～‑20ppm/℃。CaAl2B2O7作为CaO‑Al2O3‑B2O3三元体系的典型代表，其研究仅限于发光性能以及晶体结构分析，在固相烧结中，其反应过程、物相组成以及微波介电性能与各个物相含量之间的关系均未具体研究。本发明为低介低损LTCC材料提供了一种具有优异性能LTCC材料的新选择。
📄 2020110751360
📂 C04B35_10
👤 电子科技大学
📅 2020-10-09
本发明公开了一种基于LTCC技术的NiCuZn铁氧体制备方法，包括以下步骤：(1)配料；(2)第一次球磨；(3)第一次烘干；(4)预烧；(5)掺杂；(6)第二次球磨；(7)第二次烘干；(8)造粒成型；(9)排胶；(10)烧结。本发明的基于LTCC技术的NiCuZn铁氧体制备方法，工艺条件易控制，成本低，通过Bi2O3和Co2O3的二元掺杂，可以得到致密度高，孔隙小，出色的磁性能的NiCuZn铁氧体，尤其是极大程度提高了饱和磁化强度，为低温烧结NiCuZn铁氧体提供了新的指导和思路，解决了如何兼顾低温烧结NiCuZn铁氧体材料的高磁导率，高饱和磁化强度，低损耗，温度稳定性的问题。
📄 2021109430876
📂 C04B35_26
👤 杭州电子科技大学
📅 2021-08-17
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