本实用新型涉及电子陶瓷元件加工技术领域，特别公开了一种电子陶瓷元件钻孔装置，包括基座，基座上端部对称开设有燕尾槽，基座上端部中心处固定安装有固定柱，固定柱两端均螺纹安装有螺纹环，固定柱上对称固定安装有第一弹簧，两个燕尾槽内部对称滑动安装有L形板，两个L形板下端部均对称固定安装有燕尾块，两组燕尾块分别滑动安装在两组燕尾槽中，两个L形板内部均滑动安装有夹持机构；夹持机构包括滑板，两个滑板分别滑动安装在两个L形板中，两个滑板内部均螺纹安装有第一螺杆，两个第一螺杆分别转动安装在两个L形板中，该设备避免了传统装置因固定尺寸导致的适用范围局限，显著提升了设备的通用性和使用场景的多样性。
📄 2025211845397
📂 B28D1_14
👤 成都湛艺电子科技有限公司
📅 2025-06-11
本发明公开了一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷及其制备方法，本发明的微波介质陶瓷的化学组成表达式为MgAlF5，其相对介电常数为6.5～7.7，品质因数为31400～40500GHz，本发明的微波介质陶瓷具有十分优异的低介电常数与高品质因数性能组合，在未来微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法采用固相反应法制备工艺，工艺简单，重复性好且合成的物相稳定单一。此外，本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法以全氟化物为反应原料，烧结温度不高于1200℃，相比于其他氧化物陶瓷，如MgAl2O4（1450℃）等烧结温度降低了275℃以上，能大大节约大规模工业生产的成本。
📄 2021116418991
📂 C04B35_553
👤 杭州电子科技大学
📅 2021-12-30
本发明公开了一种Cu2+、Ta5+和F‑共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的结构通式为(Cu1/3Ta2/3)0.1Ti0.9‑x/4O2‑xFx，其中x的取值为0.04～0.064，本发明通过配料、球磨、预烧、二次球磨、过筛、压片、气氛烧结、空气退火制备而成；本发明制备工艺简单、产率高、重复性好、成本低，所得陶瓷材料都获得巨介电性能，其中，x＝0.052时，其介电常数为1130，损耗为0.04，温度稳定性达到X9F(Δεr/ε25℃:‑55℃‑200℃≤±7.5％)。
📄 202411937899X
📂 C04B35_46
👤 陕西科技大学
📅 2024-12-26
本发明涉及陶瓷加工技术领域，更具体的说是一种陶瓷材料及其制备工艺，包括以下步骤：步骤一、陶瓷壳倒置使自身的开口朝上；步骤二、陶瓷壳内部水平端面的四周处覆涂粘剂；步骤三、通过陶瓷材料加工装置使内框贴固于陶瓷壳的粘剂上，内框的上端设置有内螺纹孔；步骤四、底壳盖于陶瓷壳上，且底壳的边缘位于陶瓷壳边缘的内侧，使得底壳朝下时，陶瓷壳能够完全遮盖底壳，底壳上设有与内螺纹孔能够导通的通孔，通过螺丝穿过通孔旋入内螺纹孔，以将底壳固接在内框上。该陶瓷材料的外观是以陶瓷为主体，底座为耐磨磕碰的金属，适合计算机输入设备如键盘或陶瓷艺术品使用，以提高其耐用性。
📄 2023113285200
📂 F16B11_00
👤 刘英豪
📅 2023-10-14
本发明涉及一种基于SIW-CSRR结构的固体材料介电常数传感器，属于微波传感器技术领域。该传感器包括正面微带线结构，中间的介质基板和背面接地金属板；所述正面微带线结构为上下对称结构，包括50欧姆输入微带线及50欧姆输出微带线，以及基片集成波导和共面波导，正面微带线结构通过基片集成波导—共面波导—微带线转换结构实现转换，由50欧姆微带线、共面波导和基片集成波导进行激励；所述中间的介质基板两侧为金属化过孔；所述背面接地金属板通过开槽方式加载三个开口方向各不相同的互补开口谐振环。本发明具有灵敏度和选择性高，介电常数测试准确率高，测试方案简单，轮廓紧凑及制作成本低、加工简便等优点。
📄 2019106981634
📂 G01R27_26
👤 深圳泓越信息科技有限公司
📅 2019-07-30
本发明公开了一种连续相演变微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料技术领域。连续相演变微波介质陶瓷材料，其特征在于：化学通式为(1‑x)Li3MgAO5‑xLi2BO3，其中，A为Nb5+、Ta5+或Sb5+五价离子中的一种或两种的混合，B为Ti4+、Sn4+或Zr4+四价离子中的一种或两种的混合；x取值范围为0.7≤x≤0.9。微波介质陶瓷材料的晶相随着x取值的增大，从立方岩盐相向单斜岩盐相连续演变。采用本发明所述的连续相演变微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，能够解决现有的微波介质陶瓷材料品质因数低、介电常数宽范围调节差的问题。
📄 2025114849708
📂 C04B35_462
👤 成都信息工程大学
📅 2025-10-17
本发明涉及电子信息功能材料技术领域，尤其涉及一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料及其制备方法，化学式为(Y0.2B0.2C0.2D0.2E0.2)2BaZn1‑xMgxO5，其中，B、C、D、E选自La系稀有元素中的一种，0＜x＜0.1，发明还提供一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料的制备方法，包括配料、球磨、烘干过筛、预烧、造粒、模压成型、长时煅烧并退火。本发明制得的材料具有高熵化的纯相正交晶体结构，微观形貌高度致密、无气孔和无微裂纹，具有高品质因数和小的谐振频率温度系数，介电常数在14~18之间，高Q×f值在30,000到70,000 GHz之间，τf值在‑30~‑8 ppm/°C之间可调。配方中不含Pb，Cd等挥发性有毒金属，性能稳定，适用于高频化微波通信系统。
📄 2024104205697
📂 C04B35_50
👤 成都信息工程大学
📅 2024-04-09
本发明公开了一种基于微阶梯‑介电常数渐变的平面菲涅尔透镜及其设计方法，属于毫米波天线与增材制造技术领域。该方法依据相位校正理论和高度‑填充率的非线性耦合机制，通过策略性适度降低传统多介质平面菲涅尔透镜外缘环带高度，从而显著提升该区域的介质填充率；该方法在维持其原有优异电磁性能的前提下，将原本机械薄弱的低填充率环带转化为高填充率的稳固环带，实现了透镜整体机械可靠性的显著提升。本发明解决了传统多介质平面菲涅尔透镜设计过程中，同一全波区内的外缘环带因低填充率而导致的机械结构脆弱问题。
📄 2026104752429
📂 H01Q15_08
👤 南京信息工程大学
📅 2026-04-13
本发明涉及一种用于测量介电常数的双边缘检测谐振电路，包括电阻、电容、电感、交流电源、介电物质、数字万用表以及样品容器，所述介电物质放置在所述样品容器里，所述电容、电感、电阻串联连接，所述数字万用表接在电容两端，用于交流电压档测量电容两端交流信号的幅值，其中，所述谐振电路共两个，两个谐振电路的电容均处于样品容器中，所述样品容器可以加入介电物质、不加入介电物质或者加入不同介电常数的介质，所述电容值随不同介质的介电常数呈线性变化。通过对双边缘的检测，不仅可以一次性测出中心频率偏移的大小，同时也能测出偏移的方向，再根据谐振频率的计算公式，便可以得出加入样品后的电容值，从而间接计算出样品的介电常数。
📄 2022102026481
📂 G01R27_26
👤 南京信息工程大学
📅 2022-03-03
本发明公开了三元层状MAX相陶瓷材料催化剂及其制备方法和应用，所述三元层状MAX相陶瓷材料催化剂的制备方法包括以下过程：在氟化剂的作用下，MAX相陶瓷材料中的A原子层被氟化，制得所述三元层状MAX相陶瓷材料催化剂；其中，所述MAX相陶瓷材料为Ti3AlC2、Cr2AlC、V2AlC、Nb2AlC中的至少一种。本发明方法制备三元层状MAX相陶瓷材料催化剂的周期短、且操作简单，所制备的催化剂为具有三元层状的过渡金属催化剂，其在含氟烷烃脱HF制备含氟烯烃反应中具有良好的催化活性和稳定性。
📄 2019108923864
📂 B01J27_22
👤 浙江工业大学
📅 2019-09-20
本发明公开了一种富含不饱和配位的二维陶瓷材料催化剂及其制备方法和应用，所述二维陶瓷材料催化剂的制备方法包括以下步骤：在刻蚀剂的作用下，刻蚀剂中的插层物质将MAX相材料插层剥离制得二维MXene材料，即制得所述二维陶瓷材料催化剂，所述MAX相材料为Ti3AlC2、Cr2AlC、V2AlC、Nb2AlC中的至少一种；所述刻蚀剂为盐酸与LiF的混合物，或者草酸。本发明所制备的催化剂为具有不饱和配位的二维纳米层状催化剂。本发明方法合成的催化剂含氟烷烃脱HF制备含氟烯烃反应中具有良好的催化活性和稳定性。
📄 2019108923737
📂 B01J27_22
👤 浙江工业大学
📅 2019-09-20
一种用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的重入式腔体传感器，包含谐振腔和共面波导馈电线。谐振腔由四块介质基板纵向叠加组成，每块介质基板均设多个金属化通孔形成谐振腔的金属边界。第二与第三介质基板中间的金属层均刻蚀有一长条凹槽。所有介质基板各刻蚀一个非金属通孔贯通作为介电常数传感区域，第三和第四介质基板的介质层各刻蚀一长条凹槽为磁导率传感区域。粉末样品装载于聚四氟乙烯管中分别放入两个传感区域进行测量。本发明将折叠技术应用于衬底集成波导重入式谐振腔，缩减了尺寸，并通过弱耦合馈电提高谐振腔的品质因数，同时在谐振腔强磁场区引入复磁导率传感区域，获得一种结构紧凑、易于加工与集成的全面表征磁性粉末磁介电特性的多功能传感器。
📄 2020113985083
📂 G01R27_26
👤 西南大学
📅 2020-12-04
柿子坊 · 知识产权运营
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