发明专利已授权

一种用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的重入式腔体传感器

📄 申请号：CN202011398508.3 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2020-12-04

公开号

CN112684259B

公开日

2022-04-22

申请人

西南大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01R27_26

IPC 分类号

G01R27_26 , G01R33_12 ,

技术画像

所属领域

微波谐振腔技术微波谐振腔技术介电常数测量磁导率测量

应用场景

材料电磁参数测量, 电子材料性能检测, 微波器件研发, 无损检测, 实验室科研测试

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摘要

一种用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的重入式腔体传感器，包含谐振腔和共面波导馈电线。谐振腔由四块介质基板纵向叠加组成，每块介质基板均设多个金属化通孔形成谐振腔的金属边界。第二与第三介质基板中间的金属层均刻蚀有一长条凹槽。所有介质基板各刻蚀一个非金属通孔贯通作为介电常数传感区域，第三和第四介质基板的介质层各刻蚀一长条凹槽为磁导率传感区域。粉末样品装载于聚四氟乙烯管中分别放入两个传感区域进行测量。本发明将折叠技术应用于衬底集成波导重入式谐振腔，缩减了尺寸，并通过弱耦合馈电提高谐振腔的品质因数，同时在谐振腔强磁场区引入复磁导率传感区域，获得一种结构紧凑、易于加工与集成的全面表征磁性粉末磁介电特性的多功能传感器。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

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