本发明公开了一种带有电荷可调型场板的横向绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底，P型衬底上设有N型漂移区和P型阱，P型阱上设有阴极接触区和第一场氧化层，N型漂移区上设有P型阳极接触区和第二场氧化层，第一场氧化层和第二场氧化层上方设有介质层，其特征在于，所述第一场氧化层表面设有多个感应电容电极板，所述第二场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，所述介质层表面设有多个上层电荷可调型场板，且每一个感应电容电极板和一个与之一一对应的电荷可调型场板或上层电荷可调型场板通过重掺杂的多晶硅或金属互连线相连接。该结构器件的漂移区电场分布均匀，耐压所需漂移区长度小，电流能力强，导通损耗和开关损耗小。
📄 2017110409935
📂 H01L29_739
👤 济南大学
📅 2017-10-30
本发明提出了一种带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：场氧化层和位于场氧化层下方的漂移区，在所述场氧化层的表面设置若干可调型场板，相邻两个可调型场板之间间隔设定距离；每一个可调型场板均连接调节电容；通过调节可调型场板和调节电容的正负电极的尺寸，能够调节可调型场板上的感应电荷量和感应电位，使得漂移区内获得均匀的表面横向电场分布。该结构器件可以改善器件漂移区表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力和很小的导通电阻。
📄 2017110328514
📂 H01L29_40
👤 济南大学
📅 2017-10-30
本发明公开了一种带有电荷可调型场板的N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：P型半导体衬底，P型半导体衬底上设有N型漂移区和P型阱，在P型阱上设有N型源区、P型接触区和栅氧化层，在N型漂移区上设有N型漏区和场氧化层，其特征在于，所述场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，每个电荷可调型场板上均连接有金属感应层，在P型接触区和N型源区上连接有源极金属，所述源极金属完全覆盖所有的金属感应层。该结构可以使器件整个漂移区获得均匀的表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力，可以在保持高击穿电压的条件下提高器件的漂移区掺杂浓度，从而获得低的导通电阻。
📄 2017110327992
📂 H01L29_40
👤 济南大学
📅 2017-10-30
本发明公开了一种PNP晶体管、NPN晶体管电极检测识别装置，包括机身，所述机身顶壁内设置有右上两开口的换向腔，所述换向腔左右对称设置有前后延伸的传送轴，所述传送轴外表面固定设置有传送轮，本发明根据晶体管头重力大于电极部分，进而通过两横杆实现晶体管进入设备方向的调整，随后利用四杆插入晶体管电极之间，利用机械手下移的力梳直晶体管电极，方便后续通电找准位置，向晶体管基极提供正电后，通过晶体管是否通电判断是PNP型还是NPN型，进而控制相应字样的印刷板朝下来为晶体管印上对应文字，达到标记晶体管类型的目的，同时通过通断电控制电磁或气缸工作实现将晶体管分拣至不同腔内的目的。
📄 2021100749797
📂 G01R31_26
👤 西安木辛航宇科技电子有限公司
📅 2021-01-20
本实用新型公开了一种热缩管穿管装置及光纤熔接机，热缩管穿管装置包括：投料架，用于放置热缩管；光纤夹具，设置于导轨上，用于夹住光纤；驱动机构，与所述光纤夹具连接，用于驱动所述光纤夹具在导轨上移动，使得所述光纤穿过所述投料架上的热缩管。本实用新型能够自动穿热缩管，解决了手动穿热缩管的麻烦，提高了工作效率。
📄 2021222083859
📂 G02B6_44
👤 藤野(成都)科技有限公司
📅 2021-09-13
已申报项目
本申请提供了一种具有量子干涉效应的化合物及包含其的单分子场效应晶体管，由于量子干涉效应，所述单分子场效应晶体管的开关比与普通分子构建的场效应晶体管相比有数量级的提升。本申请的单分子场效应晶体管中，具有量子干涉效应的化合物能够通过酰胺共价键稳定连接于具有纳米间隙阵列的二维单层石墨烯的间隙形成分子异质结，并采用具有原子级平整且原子层厚度可控的新型二维材料，通过不同二维材料的范德华堆叠组装，形成范德华异质结构，能够实现单分子场效应晶体管器件的精准控制制备，使单分子场效应晶体管具有较强的栅电场调控能力，具有较好的稳定性和集成性。
📄 2021116155337
📂 C07C225_24
👤 北京未名元上分子技术有限公司, 南开大学
📅 2021-12-27
本实用新型公开了一种导线热缩管收缩机，包括控制装置、定位装置和加热装置；控制装置包括控制箱，控制箱的顶部向外延伸形成安装板；定位装置包括设置在安装板顶部的支架，支架包括一对竖板以及连接在该对竖板之间的横板，横板的顶部一侧设有定位板，定位板的顶部设有开口，开口内设有一对夹持块；加热装置包括设置在安装板下方的风扇安装盒，风扇安装盒内设有风扇，且风扇安装盒的底部和顶部分别设有进风口和出风口，风扇安装盒的顶部设有与出风口连通的加热管，加热管的内部设有电热丝，且加热管的上端连接有热风管，热风管的上端依次贯穿安装板和横板并延伸至横板的上方。本实用新型一种导线热缩管收缩机，其结构合理，操作方便，定位效果好。
📄 2020211437111
📂 B65B53_06
👤 苏州羽佳机电设备有限公司
📅 2020-06-19
本公开提供一种绝缘热缩管嵌套装置、机器人系统及方法，涉及工业机器人领域，包括夹持机构、嵌套机构和供应机构；嵌套机构的嵌套夹具包括弧形板状夹爪，用于探入热缩管内部夹持侧壁；供应机构包括依次设置的收放辊、裁剪件和气嘴，裁剪件和气嘴之间形成容纳工件的工作部，气嘴用于输出气流扩充裁剪后的热缩管维持圆筒状；嵌套机构用于夹持裁剪后的热缩管并嵌套在工件上；通过夹具探入热缩管内夹持侧壁，配合气流对裁剪后的热缩管形变切口位置进行纠正，扩充状态下的热缩管能够方便的套设在工件上，到达指定位置后，不受气流作用的热缩管端部能够恢复扁平结构，卡合在工件外壁上，进行位置固定，减少输送过程中的位置变化。
📄 2021108721802
📂 B29C63_42
👤 山东建筑大学
📅 2021-07-30
本实用新型公开了一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件，包括：硅体；p型硅体，位于硅体内，且上表面与硅体的上表面齐平；栅极设置于所述二氧化硅层上，且位于p型硅体的上方；源极、漏极分别设置于栅极的两侧，位于p型硅体内且与p型硅体的表面齐平；p型重掺杂区，设置于硅体内，围绕金属氧化物半导体场效应晶体管且与p型硅体的表面齐平；阳极收集电极，位于所述硅体内，与p型重掺杂区间隔设置且与p型硅体的表面齐平；阴极环，位于硅体内，与阳极收集电极间隔设置且与p型硅体的表面齐平；二氧化硅层，设置于硅体上，与硅体接触；通过刻蚀二氧化硅层露出阴极环、阳极收集电极、p型重掺杂区、源极、漏极。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2020222221534
📂 H01L27_146
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2020-09-30
本实用新型公开了一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成的芯片，包括：衬底；耗尽层，形成于所述衬底上；深p型沟道，横向设置于所述耗尽层内；n型硅体，横向设置于所述耗尽层内且位置所述深p型沟道上方；间隔排列在所述n型硅体上方且位置耗尽层内的第一n型重掺杂区、p型重掺杂区、第二n型重掺杂区；p型掺杂区，设置于所述耗尽层内且与所述第二n型重掺杂区间隔设置；第三n型重掺杂区，设置于所述耗尽层内且与所述p型掺杂区间隔设置；阴极环，设置于耗尽层内，与第三n型重掺杂区间隔设置。本实用新型将超大面积硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成在一个芯片上，大大减少封装的难度，以及芯片集成时所占的面积，且便于探测器与场效应管的参数调节。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2020222186367
📂 H01L27_146
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2020-09-30
本发明公开了一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件，包括：硅体；p型硅体，位于硅体内，且上表面与硅体的上表面齐平；栅极设置于所述二氧化硅层上，且位于p型硅体的上方；源极、漏极分别设置于栅极的两侧，位于p型硅体内且与p型硅体的表面齐平；p型重掺杂区，设置于硅体内，围绕金属氧化物半导体场效应晶体管且与p型硅体的表面齐平；阳极收集电极，位于所述硅体内，与p型重掺杂区间隔设置且与p型硅体的表面齐平；阴极环，位于硅体内，与阳极收集电极间隔设置且与p型硅体的表面齐平；二氧化硅层，设置于硅体上，与硅体接触；通过刻蚀二氧化硅层露出阴极环、阳极收集电极、p型重掺杂区、源极、漏极。
📄 202011065727X
📂 H01L27_146
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2020-09-30
本发明公开了一种一致高分子有机聚合物链取向薄膜及基于该薄膜的晶体管的制备方法，涉及半导体器件物理领域，一致高分子取向薄膜是在衬底上通过以Langmuir‑Blodgett工艺制备而成，其有机聚合物链依靠其范德华力保持一致取向，通过在有机溶剂DPPT‑TT中配备一定浓度的PMMA溶液，可以改变有机聚合物链互相间受力方式，再通过本专利中的制备方式所制备出的有机器件，可以使其在不同环境中有机聚合物链一致取向排列所受影响大大降低。一致高分子取向薄膜有效的提高了有机场效应晶体管的迁移率，使亚阈值摆幅得以降低。同时，一致高分子有机聚合物链的保护方法使有机场效应晶体管的迁移率收敛性得到较大提高，晶体管性能一致性更加明显。
📄 202310088394X
📂 C09D165_00
👤 南京邮电大学
📅 2023-02-09
柿子坊 · 知识产权运营
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