本实用新型提供了一种二维位置分辨硅探测器，包括基底，正面阴极环嵌入于基底正面，正面阴极环上方镀有正面铝层；阳极嵌入于基底反面，阳极远离基底的一面镀有反面铝层；二氧化硅层填充于正面铝层之间以及反面铝层之间；所述正面铝层上设置有正面探测信号输出点；所述反面铝层上设置有反面探测信号输出点。解决了现有技术中存在的探测信号引出点多，封装工作量和难度大，产品合格率低等问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2022211367724
📂 H01L31_0224
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2022-05-11
本实用新型提供了一种扇形硅漂移探测器，包括基底，基底的上表面为收集面，基底的下表面为入射面；收集面的中心是收集阳极，以收集阳极为中心向外依次设置有收集面漂浮阴极环、收集面内环加压环，收集面内环加压环、收集阳极、收集面漂浮阴极环之间同心；收集面内环加压环外围设置有扇形单元，扇形单元之间设有表面电子排出通道；扇形单元外侧设置有环形保护阳极；入射面包括入射面窗口、入射面阴极加压环和入射面保护环，入射面阴极加压环内部为入射窗口，入射面阴极加压环外侧为入射面保护环。解决了现有技术中存在的表面漏电流会被阳极收集、对于不同角度的扇形结构无法实现拼接等问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2022211187859
📂 H01L31_115
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2022-05-10
本实用新型提供了一种多段式阳极等间距分布的硅漂移室探测器，包括高阻硅衬底，中心收集阳极嵌入于高阻硅衬底正面中心，由中心收集阳极向外依次等间距分布有中间位置收集阳极环、最外收集阳极环；阴极环位于中心收集阳极与最外收集阳极环之间且中间位置收集阳极环将阴极环分隔为内外两部分；中心阳极保护环位于中心收集阳极外和最内圈的阴极环之间，正面保护环位于最外收集阳极环外；中心阳极保护环和正面保护环均环绕中心收集阳极同心分布；高阻硅衬底反面为粒子入射窗口。本实用新型探测器的电子漂移路径短，探测器电容小，具有较高的电子收集效率，能够达到最佳分辨率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2022210272604
📂 H01L31_115
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2022-04-28
本实用新型公开了一种螺旋线性硅漂移探测器，所述探测器包括长方体状的硅基底，硅基底顶面相对的两边缘处均设有收集阳极，收集阳极间设有链条状的正面漂移阴极，正面漂移阴极呈S形排布在硅基底上，硅基底底部设有反面漂移阴极，反面漂移阴极和收集阳极上附着有铝层，硅基底和正面漂移阴极顶部设有二氧化硅层，正面漂移阴极两端和中间的二氧化硅层被刻蚀掉，其上附有铝层；本实用新型能够自主分压，使用方便，有效探测面积较大，电荷收集效率、能量分辨率和灵敏度较好。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2021221535168
📂 H01L31_0224
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2021-09-07
本实用新型公开了一种硅漂移探测器与放大器的制冷封装结构，包括：腔体，所述腔体上开设有光学窗口；硅漂移探测器，设置于所述腔体内；准直器，设置于所述腔体内，将透过所述光学窗口的光线耦合至所述硅漂移探测器的光接收端；放大器，设置于所述腔体内，与所述硅漂移探测器电连接，用于放大所述硅漂移探测器的输出信号；制冷器件，具有冷端和热端，所述冷端靠近所述腔体设置，所述热端远离所述腔体设置。本实用新型采用半导体制冷器件，具有无需制冷剂、可连续工作、没有污染、结构简单、噪声小、寿命长、效率高、耗电低、易于控制操作等特点，既能制冷又能制热，可以让探测器在常温下工作，也可以在深空环境或者极端环境下工作。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 202121227238X
📂 H01L25_16
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2021-06-03
本实用新型公开了一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件，包括：硅体；p型硅体，位于硅体内，且上表面与硅体的上表面齐平；栅极设置于所述二氧化硅层上，且位于p型硅体的上方；源极、漏极分别设置于栅极的两侧，位于p型硅体内且与p型硅体的表面齐平；p型重掺杂区，设置于硅体内，围绕金属氧化物半导体场效应晶体管且与p型硅体的表面齐平；阳极收集电极，位于所述硅体内，与p型重掺杂区间隔设置且与p型硅体的表面齐平；阴极环，位于硅体内，与阳极收集电极间隔设置且与p型硅体的表面齐平；二氧化硅层，设置于硅体上，与硅体接触；通过刻蚀二氧化硅层露出阴极环、阳极收集电极、p型重掺杂区、源极、漏极。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2020222221534
📂 H01L27_146
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2020-09-30
本实用新型公开了一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成的芯片，包括：衬底；耗尽层，形成于所述衬底上；深p型沟道，横向设置于所述耗尽层内；n型硅体，横向设置于所述耗尽层内且位置所述深p型沟道上方；间隔排列在所述n型硅体上方且位置耗尽层内的第一n型重掺杂区、p型重掺杂区、第二n型重掺杂区；p型掺杂区，设置于所述耗尽层内且与所述第二n型重掺杂区间隔设置；第三n型重掺杂区，设置于所述耗尽层内且与所述p型掺杂区间隔设置；阴极环，设置于耗尽层内，与第三n型重掺杂区间隔设置。本实用新型将超大面积硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成在一个芯片上，大大减少封装的难度，以及芯片集成时所占的面积，且便于探测器与场效应管的参数调节。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2020222186367
📂 H01L27_146
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2020-09-30
本实用新型公开了一种扇形交替式硅像素探测器，包括n型硅基底，n型硅基底为圆柱体结构，其下表面设置有N+入射面，其上表面设置有P+收集面；P+收集面由p+型中心像素单元和等间隔设置在p+型中心像素单元径向上的多个间隔相等的扇形区域组成，p+型中心像素单元位于P+收集面的中心位置，每个扇形区域由多个从内向外交替设置的p+型像素单元A和p+型像素单元B组成，所有扇形区域的同一位置处的p+型像素单元A和p+型像素单元B等间隔交替设置形成一个p+型像素环，共形成多个同心的p+型像素环，且p+型像素环的数量与每个扇形区域包含的p+型像素单元A和p+型像素单元B的总数相等，制备工艺简单、成品率高、成本低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2020214728655
📂 H01L27_146
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2020-07-23
本发明提供了一种像素型硅漂移探测器，由像素单元阵列而成；所述像素单元包括中间收集电极、第一阴极环、第二阴极环、基体和反面入射窗口；所述中间收集电极为阳极，掺杂于基体顶部中心位置；第一阴极环和第二阴极环为阴极，掺杂于基体顶部，第一阴极环和第二阴极环沿相反方向环绕中间收集电极分布；反面入射窗口的电极为阴极，掺杂于基体底部；所述阳极和阴极上面均镀有铝膜；每个像素单元之间的第一阴极环之间相连，第二阴极环之间相连。本发明提供的探测器阳极电容小，功耗小，可以测量0.5到15keV之间的x射线，具有几微秒的时间分辨率和快速读出的特点，无死区，对低能量光子具有良好的探测器量子效率。
📄 202210456171X
📂 H10F39_12
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2022-04-27
本发明公开了一种S形硅漂移探测器及其设计方法，所述探测器包括长方体状的硅基底，硅基底顶面相对的两边缘处均设有收集阳极，收集阳极间设有链条状的正面漂移阴极，正面漂移阴极呈S形排布在硅基底上，硅基底底部设有反面漂移阴极，反面漂移阴极和收集阳极上附着有铝层，硅基底和正面漂移阴极顶部设有二氧化硅层，正面漂移阴极两端和中间的二氧化硅层被刻蚀掉，其上附有铝层；本发明能够自主分压，使用方便，有效探测面积较大，电荷收集效率、能量分辨率和灵敏度较好。
📄 202111043437X
📂 H01L31_0224
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2021-09-07
本发明公开了一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件，包括：硅体；p型硅体，位于硅体内，且上表面与硅体的上表面齐平；栅极设置于所述二氧化硅层上，且位于p型硅体的上方；源极、漏极分别设置于栅极的两侧，位于p型硅体内且与p型硅体的表面齐平；p型重掺杂区，设置于硅体内，围绕金属氧化物半导体场效应晶体管且与p型硅体的表面齐平；阳极收集电极，位于所述硅体内，与p型重掺杂区间隔设置且与p型硅体的表面齐平；阴极环，位于硅体内，与阳极收集电极间隔设置且与p型硅体的表面齐平；二氧化硅层，设置于硅体上，与硅体接触；通过刻蚀二氧化硅层露出阴极环、阳极收集电极、p型重掺杂区、源极、漏极。
📄 202011065727X
📂 H01L27_146
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2020-09-30
本发明公开了一种扇形交替式硅像素探测器，包括n型硅基底，n型硅基底为圆柱体结构，其下表面设置有N+入射面，其上表面设置有P+收集面；P+收集面由p+型中心像素单元和等间隔设置在p+型中心像素单元径向上的多个间隔相等的扇形区域组成，p+型中心像素单元位于P+收集面的中心位置，每个扇形区域由多个从内向外交替设置的p+型像素单元A和p+型像素单元B组成，所有扇形区域的同一位置处的p+型像素单元A和p+型像素单元B等间隔交替设置形成一个p+型像素环，共形成多个同心的p+型像素环，且p+型像素环的数量与每个扇形区域包含的p+型像素单元A和p+型像素单元B的总数相等，制备工艺简单、成品率高、成本低。
📄 2020107182754
📂 H01L27_146
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2020-07-23
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