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本发明涉及一种适用于激光隐形切割的划片道结构及其制备方法。其包括衬底、制备于所述衬底上的器件体以及设置于所述器件体外圈的划片道，还包括设置于划片道上的金属层支撑体，在器件体上沉积金属层时，通过金属层支撑体支撑位于划片道上的金属，并能在所述金属层支撑体上形成非连续的划片道金属层，通过金属层支撑体以及所述金属层支撑体上的划片道金属层形成能降低金属反射率的划片道低反射体。本发明在对器件体进行金属沉积时，能在划片道上形成划片道低反射体，划片道低反射体包括金属层支撑体以及非连续的划片道金属层，在避免金属层覆盖划片道时，也能降低对激光的反射，从而能有效确保对划片道采用激光隐形切割，与现有工艺兼容。

本发明涉及一种悬臂梁热电堆及其制备方法。其包括热电堆单体，所述热电堆单体包括衬底以及红外敏感体结构；红外敏感体结构包括器件支撑层、热绝缘层、吸收层以及包裹于热绝缘层与吸收层内的热偶，所述热偶包括若干交替排布的N型热电材料体以及P型热电材料体，所述N型热电材料体与P型热电材料体通过热电材料连接体依次串接；在所述衬底内的上部设置衬底腔，所述衬底腔从衬底的正面向所述衬底的背面方向延伸；位于所述衬底腔正上方的热偶形成热电堆热端区，位于所述衬底腔外的热偶形成热电堆冷端区。本发明结构紧凑，采用悬臂梁结构，降低热导，提高了热电堆的性能，制备工艺与现有IC工艺兼容，降低工艺复杂度以及制备成本，安全可靠。

本发明涉及一种皮拉尼计真空计，尤其是一种扩大测量区间的真空度测量装置及制备方法。按照本发明提供的技术方案，所述扩大测量区间的真空度测量装置，包括衬底；在所述衬底上采用MEMS工艺制备所需的皮拉尼计单元以及微压传感单元，在所述衬底内设置与微压传感单元正对应的微压传感背腔以及制备于所述微压传感背腔内的微压检测块。本发明能有效提高真空度的测量区间，与现有工艺兼容，降低使用的成本，安全可靠。

本发明涉及一种MEMS热电堆传感器的测试方法及系统。其包括微区光源以及显微成像系统，通过显微成像系统能观测到待测试MEMS热电堆传感器内所选择区域位置放大后的区域状态信息，并能根据所观察放大后的区域状态信息将微区光源产生的激光仅入射到待测试MEMS热电堆传感器内所选择的区域位置；利用微区光源对待测试MEMS热电堆传感器内当前所选择区域位置进行所需的激光辐照后，采集待测试MEMS热电堆传感器内当前所选择区域位置在相应激光辐照下的输出电压。本发明微区光源能精准定位，并实现对热电堆不同区域部位的直接辐照，以能获取热电堆不同区域部位的输出状态，从而为MEMS热电堆传感器的优化设计提供依据和指导。

本发明公开了一种宽光谱抗反射增透结构及其制备工艺及光栅。本发明的宽光谱抗反射增透结构中包括：衬底，还包括设置于所述衬底至少一侧表面的若干锥状抗反射结构，锥状抗反射结构的底部横向尺寸为20～150nm，分布密度为3～20根/um2，若干锥状抗反射结构在不同高度范围内的数量百分比分布为：100nm以下:0％～5％，100nm～150nm:50％～60％，150nm～200nm:25％～35％，200nm～260nm:10％～20％。本发明产品在更宽的波长范围内具有更优异的抗反射性能。