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摘 要:本发明公开了一种宽光谱抗反射增透结构及其制备工艺及光栅。本发明的宽光谱抗反射增透结构中包括:衬底,还包括设置于所述衬底至少一侧表面的若干锥状抗反射结构,锥状抗反射结构的底部横向尺寸为20~150nm,分布密度为3~20根/um2,若干锥状抗反射结构在不同高度范围内的数量百分比分布为:100nm以下:0%~5%,100nm~150nm:50%~60%,150nm~200nm:25%~35%,200nm~260nm:10%~20%。本发明产品在更宽的波长范围内具有更优异的抗反射性能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201911249960.0 | 专利名称: | 一种宽光谱抗反射增透结构及其制备工艺及光栅 |
申请日: | 2019-12-09 | 申请/专利权人 | 无锡物联网创新中心有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园B栋4楼 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G02B1/118搜分类 光学仪器搜索 |
公开/公告日: | 2020-09-11 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN110927833B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |