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本发明公开了一种多芯片同步倒装机构及其封装工艺，所述固晶平台的工作面设有多个芯片固定部，所述芯片固定部为凹槽或凸台；当倒装多个厚度相同的芯片时，所述固晶平台设置多个深度相同的凹槽或高度相同的凸台；当倒装多个厚度不完全相同的芯片时，所述固晶平台设置多个深度不完全相同的凹槽或高度不完全相同的凸台，补偿各个芯片之间的厚度差。实现多个芯片尤其是多种不同厚度和尺寸的芯片的一次倒装，还可实现系统级封装，即将多种具有不同功能的芯片包括处理器、存储器等芯片放置在同一个固晶平台内以实现系统级芯片组的一次倒装，在保证倒装质量的前提下，大大地降低倒装产成本和倒装难度，以及大大地提高倒装效率。

本发明提供了一种芯片的转移方法，包括以下步骤：在晶圆芯片的凸点背面沉积含有磁性材料的有机材料层；将导电杆接通正向电流，利用导电杆头部镀有的软磁材料与所述有机材料层相反的磁性，使导电杆与所述晶圆芯片吸附；将所述晶圆芯片倒装焊接后，将导电杆接通反向电流使导电杆与晶圆芯片脱离。本申请提供的芯片的转移方法可用于微型芯片的转移，解决了微型芯片由于尺寸小带来的转移困难的问题，提高了芯片的转移效率。

本发明提供了一种高密度嵌入式线路的制作方法，包括以下步骤：a)、将不锈钢板通过微纳加工，得到表面带有下凹的预设线路图形的母板；b)、在所述母板的线路图形的凹槽内镀铜，得到铜层线路；c)、利用表面粘附有临时键合胶的面板将铜层线路取出，热压在粘附有粘合胶的基板上，固化后再去除临时键合胶；d)、采用化学腐蚀法减薄铜层，得到高密度的嵌入式线路。该方法制成的嵌入式线路能够具有更高的稳定性，同时具有很小的线宽和线距，从而有利于显著地提高线路的集成密度。采用该申请技术方案能够达到的线宽为1～100μm；线距为1～200μm。

本发明涉及一种嵌入式高散热扇出型封装结构，包括均带有凸点的芯片、开有凹槽的石墨烯载板、塑封层、固定层、阻焊层、再布线层、介电层以及焊球；所述介电层覆盖在所述石墨烯载板上，所述再布线层覆盖在所述介电层上，所述芯片的背面通过所述固定层粘结在所述石墨烯载板的凹槽内，所述芯片与所述再布线层通过引线键合，所述塑封层包裹在所述芯片上，所述焊球连接在所述再布线层的上方，所述阻焊层设置在所述再布线层的上方。本发明的嵌入式高散热扇出型封装结构为芯片的扇出型封装提供了稳定的支撑，而且大大提高了封装结构的散热效果。

本发明涉及一种高散热扇出型封装结构，包括带有凸点的芯片、石墨烯载板、介电层、再布线层、塑封层、散热模块以及焊球；所述石墨烯载板的上下两侧均设置有所述再布线层，所述介电层设置在所述石墨烯载板与所述再布线层之间，所述石墨烯载板上贯穿有铜柱，所述再布线层之间通过所述铜柱进行连接，所述芯片设置在所述石墨烯载板的上方，位于所述石墨烯载板上方的再布线层与所述芯片的凸点连接，位于所述石墨烯载板下方的再布线层与所述焊球连接，所述塑封层包裹在所述芯片的外侧，所述散热模块设置在所述塑封层上。本发明的高散热扇出型封装结构为芯片扇出封装结构的高密度互连提供了平台，同时大幅提高芯片封装结构的散热能力。