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本实用新型涉及一种具有侧壁场板的发光二极管器件结构。侧壁场板结构由绝缘层和覆盖于绝缘层上的阳极电极构成；绝缘层覆盖于发光二极管台面中的电流扩展层、空穴传输层、电子阻挡层和有源区的侧壁及电子传输层的上表面；发光二极管台面中电子阻挡层到电流扩展层侧壁的绝缘层宽度为0.001～1μm，电子传输层上表面的绝缘层的宽度大于电子阻挡层到电流扩展层的侧壁的绝缘层宽度；利用侧壁场板结构耗尽发光二极管器件边缘载流子，降低器件边缘处载流子浓度的特点，可以减弱器件边缘部位的非辐射复合，使整个器件的载流子得到有效地利用，最终实现发光二极管器件尤其是小尺寸发光二极管器件的光功率的提升。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

本实用新型为一种具有电子注入层的深紫外发光二极管外延结构。该结构主体为沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体传输层、电子注入层、多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层和P‑型重掺杂半导体传输层。其中，电子注入层通过AIN组分和掺杂浓度来精确调控N‑型AlGaN层内极化电场和耗尽电场，从而降低电子注入有源区时的能量，提高量子阱对电子的捕获能力，使器件性能得到大幅提升，且材料生长难度低，可重复性强。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

本申请提供一种具有侧壁场板的凸型栅增强型GaN基HEMT器件，包括衬底，衬底上依次设有缓冲层、沟道层，沟道层为凸台型，凸台的顶部和下部平面上设有势垒层，凸台的外侧和势垒层的上部设有栅介质层，凸台顶部的栅介质层和凸台外侧的栅介质层的外侧设有栅电极，凸台下部平面两侧设有源漏电极与势垒层相连；本实用新型利用沟道层材料体系的非极性面实现2DEG沟道的阻断，实现了常关型操作，且器件阈值电压具有较好的重复性和均匀性；采用半绝缘GaN作为沟道层，当HEMT处于关断状态时，漏电流极小且可承受较大的电压而不击穿；本实用新型可操作性强，成本低，工艺简单可靠，适于工业上的推广使用。

本申请提供了一种AlGaN基等离子激元光电探测器结构，包括衬底，衬底上依次设有缓冲层、吸收层，吸收层上设有光栅型叉指电极；光栅型叉指电极为周期栅型分列金属纳米电极，周期栅型分列金属纳米电极中每一个叉指由平行且均匀分布的10—100个光栅金属条构成；本实用新型提供了一种易于制作、简单的一种AlGaN基等离子激元光电探测器结构，通过使电极处金属结构进行光栅结构化，从而克服电极挡光的问题，而且可以利用等离子激元作用增加探测器的响应度。

一种具有InGaN电子减速层的VCSEL激光器，包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR、N‑型半导体传输层、N‑型InGaN电子减速层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型半导体传输层、P‑型重掺杂半导体传输层、电流限制孔、电流扩展层、介质DBR、P型欧姆电极；N‑型半导体传输层、N‑型InGaN电子减速层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型半导体传输层、P‑型重掺杂半导体传输层、电流扩展层形成有台肩，台肩的底部延伸至N‑型半导体传输层，暴露的N‑型半导体传输层上设有N型欧姆电极；本申请实现对电子的阻挡效应，限制电子从MQWs中泄露，促进空穴注入与其发生辐射复合，通过InGaN的插入，会引入势垒，提高辐射复合速率，提高VCSEL光输出功率和光电转换效率，从而提高器件的性能。