专利名称：一种具有较高工作频率的MRAM      申请号：201910376306X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： RAM   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明公开了一种具有较高工作频率的MRAM，属于计算机存储技术领域。所述磁性随机存取存储器基于2T1MTJ单元结构，在其基础上增加读位线以及辅助电路，用于分离读/写位线以及辅助电流传送，将读取电压快速偏置到选定的位线。本发明通过在2T1MTJ单元结构的基础上增加读位线以及辅助电路，用于分离读/写位线以及辅助电流传送，将读取电压快速偏置到选定的位线，从而提高响应速度，半轴旋转架构有效地减小了位线电容，提高了MRAM的读写速度，进一步在以2T1MTJ单元组成的阵列为基础的MRAM基本架构中添加电流传送器，加快电压的偏置，从而提高响应速度，提高整个MRAM的工作频率。

专利名称：一种基于N-gram模型的工业报警泛滥预测方法      申请号：2018108894994     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： RAM   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明属于信号处理领域，尤其涉及一种基于N-gram模型的工业报警泛滥预测方法，包括以下步骤：(1)获取历史报警泛滥数据集，统计其中报警变量，计算每个报警变量的区分度并剔除区分度为0的报警变量；(2)将处理后的数据集中的序列与正在出现的序列逐一做相似性对比，并将序列根据相似性分数从高到低排列；(3)设定时间窗口对再次处理后的数据集进行分段，并统计每个数据段的数量，求出利用样本数据集计算下一个可能出现的报警变量及对应的概率；(4)通过贝叶斯概率模型求出预测下一个出现的报警的概率和对应的置信区间；(5)对步骤(3)和(4)进行迭代运算。本发明解决了目前进行报警泛滥预测时预测不准确的问题。

专利名称：基于Tangram算法和2维双尺度矩形映射的图像伪装及重构方法      申请号：2014104048387     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：计算机软件 RAM   相似专利 发布日：2024/02/20  
摘要： 本发明提供一种基于Tangram算法和2维双尺度矩形映射的图像伪装及重构方法，将秘密图像划分的子块作为字典，利用2D双尺度矩形映射确定秘密图像子块和公开图像子块的对应关系，将每个秘密图像子块按8个等距变换直接和对应位置的公开图像子块进行最小2乘法匹配，找到残差最小的等距变换和匹配参数，从而将秘密图像伪装成一张与秘密图像无关的有意义公开图像在公有信道中进行传输。本发明只按映射关系进行匹配，实际编码时间远低于现有Tangram方法，公开图像可满足一定的辨识要求，且重构密图视觉质量清晰，并且由于添加了2D双尺度映射，映射位置被随机打乱，可满足一定的安全要求。

专利名称：一种SRAM存储器      申请号：2018100902653     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： RAM   相似专利 发布日：2023/03/30  
摘要： 本发明公开了一种SRAM存储器，包括跟踪时钟发生器以及对称分布的两个SRAM阵列，每个SRAM阵列的上部均设有一跟踪行，外侧均设有一跟踪列，每个SRAM阵列的上方位于跟踪行的外侧设有一时序追踪单元dummy cell，每个SRAM阵列的下方设有一dummy SA读出放大器，跟踪时钟发生器的输出端INTERNAL-CLK分别经两条穿过跟踪行的跟踪字线与两侧的时序追踪单元dummy cell连接，每个时序追踪单元dummy cell经一条穿过跟踪列的跟踪位线与dummy SA读出放大器连接，dummy SA读出放大器的输出端经一判决器连接到跟踪时钟发生器的输入端，还包括基于dummy SA读出放大器的PBTI保护电路。本发明不仅能降低存储器由于跟踪路径导致失效的概率，增加追踪操作的准确性，还能消除PBTI效应的影响，提高电路的可靠性。