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摘 要:能够提高成像质量的光刻图像获得方法属于半导体硅片光刻技术领域。本发明首先根据环形照明内部、外部相干因子σin、σout与成像畸变之间的关系,运用粒子群算法确定能够使成像畸变达到最小的σin和σout,减轻光刻图像的成像畸变;其次,将初始二进制掩模图形通过光刻成像模型得到空间像,根据空间像的光强分布,确定光强对比度γ,划定光强偏高、偏低的部分,修改初始二进制掩模图形,减轻光刻图像中的成像断裂;最后,利用梯度算法优化修改后的初始二进制掩模图形,得到实值掩模图形,再将该实值掩模图形转换为二进制掩模图形,将该二进制掩模图形作为最终的初始二进制掩模图形进行光刻成像,得到最终的光刻图像,成像畸变、成像断裂同时得到进一步减轻。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110399779.9 | 专利名称: | 能够提高成像质量的光刻图像获得方法 |
申请日: | 2021-04-14 | 申请/专利权人 | 长春理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G03F7/20搜分类 光刻搜索 |
公开/公告日: | 2023-02-10 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113311669B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |