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摘 要:本发明属于光电探测技术领域,具体涉及一种氧化锡氧化镉超晶格日盲探测器结构及其制备方法。结构包括叉指电极,叉指电极之间为氧化锡氧化镉超晶格材料薄膜,厚度为100~200nm。制备方法包括如下步骤:步骤Ⅰ:通过光刻的方法,经过涂胶、曝光、显影和刻蚀后在硅片衬底上形成叉指电极;步骤Ⅱ:将所制备的氧化锡氧化镉超晶格材料分散于适量的乙醇溶液中,超声处理直至粘稠状,然后通过旋涂的方式涂抹于步骤Ⅰ中制备的叉指电极上,之后于80°C的环境下老化0.5h,即制得目标器件。本发明利用量子尺寸效应,实现了电子在紫外波段的能级跃迁方式,且制备的光电探测器具有较好的响应速度。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202310847106.4 | 专利名称: | 一种氧化锡氧化镉超晶格日盲探测器结构及其制备方法 |
申请日: | 2023-07-12 | 申请/专利权人 | 长春理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 吉林省长春市卫星路7089号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0352搜分类 探测 氧化锡搜索 |
公开/公告日: | 2023-08-11 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN116581182A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |