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一种V纳米线增强的宽滞后NiTiV形状记忆合金

Name: 一种V纳米线增强的宽滞后NiTiV形状记忆合金
Brand: 安徽工业大学
SKU: 2018103200900
Availability: InStock

📄 申请号：CN201810320090.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-04-11

公开号

CN108531779B

公开日

2019-07-16

申请人

安徽工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C22C19_03

IPC 分类号

C22C19_03 , C22C30_00 , C22F1_10 , C22F1_00 ,

技术画像

所属领域

纳米线形状记忆合金金属基复合材料纳米材料纳米线

应用场景

航空航天, 阻尼减振, 智能驱动, 传感器, 能量吸收

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摘要

本发明公开了一种V纳米线增强的宽滞后NiTiV形状记忆合金，属于新型金属的生产技术领域。该合金由镍、钛和钒三种原料组成，其中：钒的原子百分比为9～25％，镍和钛原子百分比满足：|Ni％‑Ti％|≤2％。该合金是通过熔炼、锻造和拉拔的方法得到的；在熔炼过程中镍钛与钒发生共晶反应，生成尺寸十分细小的片层状β‑V相，片层厚度小于300纳米；而在锻造和拉拔过程中，细小的钒片层继续发生变形，最终形成直径小于50纳米的纳米线。与NiTiNb合金相比，NiTiV具有较小的密度，有利于其应用为航空航天材料；与Nb相比，V的熔点更低，方便熔炼和热处理；相比已有的NiTiV合金，本发明中V含量较高，原子百分比为9～25％，能够更有效的提高合金的相变滞后。

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……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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