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摘 要:一种使用高碳含量物质对高分散气相二氧化硅表面进行改性的方法,包括以下步骤:1)气相二氧化硅是通过高温水解四氯化硅制备而得的,二氧化硅的比表面积为300m2/g,颗粒的平均尺寸为7-10nm;2)对气相二氧化硅并进行表面改性,以液态聚甲基苯基硅氧烷作为改性剂,在180-320℃温度范围内对气相二氧化硅修饰1小时,硅树脂的用量为二氧化硅重量的15-20%。本发明提供了一种降低成本、二氧化硅粉末的比表面较大且颗粒尺寸较小的使用高碳含量物质对高分散气相二氧化硅表面进行改性的方法。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811306326.1 | 专利名称: | 使用高碳含量物质对高分散气相二氧化硅表面进行改性的方法 |
申请日: | 2018-11-05 | 申请/专利权人 | 浙江工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市下城区朝晖六区潮王路18号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01B33/18搜分类 无机化合物 硅 改性 氧化硅搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2020/06/02 | 授权 | |
2019/04/09 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C01B 33/18 专利申请号: 201811306326.1 申请日: 2018.11.05 |
2019/03/15 | 公开 |