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摘 要:本发明公开了一种具有新颖微结构的高迁移率n型纳米金刚石薄膜及其制备方法:采用热丝化学气相沉积方法(HFCVD),在单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜。以丙酮作为碳源,采用氢气鼓泡方式将碳源带入反应室腔体,生长时间约40‑60分钟,制备得到厚度1‑3μm左右的纳米金刚石薄膜,晶粒尺寸10‑30nm,薄膜中非晶碳晶界含量非常少。对该晶粒密堆积纳米金刚石薄膜进行硫离子以及氧离子注入,注入后的样品再进行低真空退火,即得到所述迁移率普遍达到400cm2/V·s以上的n型纳米金刚石薄膜。对于实现金刚石薄膜在半导体器件、光电子领域、场发射显示器等领域的应用具有十分重要的意义和价值。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810247215.1 | 专利名称: | 一种具有晶粒密堆积结构的高迁移率n型纳米金刚石薄膜及其制备方法 |
申请日: | 2018-03-23 | 申请/专利权人 | 浙江工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市下城区潮王路18号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C16/27搜分类 塑料 纳米搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |