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24小时咨询热线摘 要：本发明公开了一种具有Si-V发光的纳米金刚石薄膜的制备方法：在多晶金刚石衬底上，采用热丝化学气相沉积方法制备纳米金刚石薄膜；对纳米金刚石薄膜进行硅离子注入处理，注入剂量为1013-1015cm-2，得到硅离子注入的薄膜；硅离子注入的薄膜在800-900℃温度下，3000～5000Pa压力下，退火30-60分钟，得到退火后的薄膜；再在500-600℃温度下的空气中保温30-60分钟，即制得所述具有Si-V发光的纳米金刚石薄膜。本发明采用离子注入方法将定量的硅掺入到纳米金刚石薄膜中，使得硅的掺杂剂量实现定量化，实现了具有Si-V发光性能的纳米金刚石薄膜的可控制备，制备获得的纳米金刚石薄膜具有Si-V发光性能。
著 录 项：
| 专利/申请号： | CN201510570930.5 | 专利名称： | 一种具有Si-V发光的纳米金刚石薄膜及其可控制备方法 |
| 申请日： | 2015-09-09 | 申请/专利权人 | 浙江工业大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 浙江省杭州市下城区朝晖六区潮王路18号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | C23C16/27搜分类 塑料 纳米搜索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 面议 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2017/12/05 | 授权 | |
| 2016/01/13 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C23C 16/27 专利申请号: 201510570930.5 申请日: 2015.09.09 |
| 2015/12/16 | 公开 |
