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摘 要:本实用新型提供了一种背结晶硅电池,其包括:P型硅片、正面钝化减反层、正面电极以及空穴选择性接触层;其中,所述空穴选择性接触层层叠并覆盖于所述P型硅片的正面上,所述正面钝化减反层层叠于所述空穴选择性接触层上,所述正面电极形成于所述正面钝化减反层上并穿透所述正面钝化减反层与所述空穴选择性接触层接触。本实用新型中的空穴选择性接触材料为整面覆盖,非局部结构,正面电极也无需精准对位,整个正面接触结构制备简便。此外,无高温的硼扩,不影响P型硅片的体少子寿命。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202120851856.5 | 专利名称: | 一种背结晶硅电池 |
申请日: | 2021-04-23 | 申请/专利权人 | 苏州腾晖光伏技术有限公司,常熟理工学院 |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | 江苏省苏州市常熟市沙家浜镇常昆工业园区腾晖路1号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0216搜分类 电池 硅 港口 结晶硅搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |