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摘 要:本发明公开了一种模拟化学气相沉积生长单层过渡金属硫化物的方法,属于二维材料制备技术领域。包括以下步骤:S1、构建单层过渡金属硫化物生长所需基底;S2、将过渡金属氧化物和硫置于S1提供的基底上,并采用分子动力学模拟化学气相沉积法,对置于基底上的过渡金属氧化物和硫在一定温度下进行成核生成单层过渡金属硫化物,即得单层过渡金属硫化物。本发明基于第一性原理及分子动力学方法,系统探究过渡金属氧化物(如MoO3)和S在基底上的沉积及MoS2的完整成核过程,为单层过渡金属硫化物(如MoS2)的可控生长提供理论依据。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011119208.7 | 专利名称: | 一种模拟化学气相沉积生长单层过渡金属硫化物的方法 |
申请日: | 2020-10-19 | 申请/专利权人 | 陕西科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市未央区大学园区陕西科技大学 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C16/30搜分类 化学化工 气 生长 硫化搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |